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ruilian666

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鳍式场效应晶体管工艺流程（FinFET）
2023-1-31 13:57

首先沉积鳍轴( Mandrel)和硬掩模层，掩模图形化鳍轴并刻蚀，形成第一侧墙；...

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CMOS平面互补场效应晶体管工艺流程
2023-1-16 10:49

典型的衬底是p型硅或绝缘体上硅（SOI)，其直径为 200mm 或300mm；在多层铜互连中，最上面两层金属较厚（常被用于制造电感或电容)，顶层的铝层用于制造封装用的键合焊盘。...

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栅氧化层和多晶硅栅工艺示意图解析
2022-12-8 09:53

当核心区域和 I/O 区域都已经生长晶体管后，沉积多晶硅层（Poly-Si）和硬掩模层（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉积栅叠层(Cate-Stack）后，进行图形化硬掩模（经过光刻步骤)。...

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什么是极紫外光刻极紫外光刻优势介绍
2022-10-24 10:48

掩模版的缺陷的光学检测极为困难。通常，光学检测可以获得表面缺陷和相缺陷引起的所有转印缺陷，但是由于 EUV 的多层掩模结构，使得这些缺陷被埋在多层薄膜的下面。...

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光刻工艺的基本步骤
2022-10-18 11:20

传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑，可以满足从 0...

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