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  • 集成电路及其封装是典型的由名种材料构成的复合结构体系,也是典型的多物理场耦合系统。...
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  • 国际半导体设备与材料协会标准 SEMI G38-0996 和固态技术协会 JEDECJESD51 标准中定义的集成电路中各项温度点位置如图所示,其中T3是集成电路芯片处的温度。...
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  • 随着电子产品趋向于功能化、轻型化、小型化、低功耗和异质集成,以系统级封装(System in Package, siP)、圆片级封装( Wafer Level Package.WLP)、2.5D/3D 封装等为代表的先进...
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  • 系统级封装 (System in Package, SiP)是指将单个或多个芯片与各类元件通过系统设计及特定的封装工艺集成于单一封装体或模块,从而实现具完整功能的电路集成,如图 7-115 所示。与系统级芯片 (SoC)...
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  • 板级埋人式封装是一种在基板制造工艺的基础上融合芯片封装工艺及 SMT工艺的集成封装技术,既可以是单芯片封装、多芯片封装,也可以是模组封装、堆叠封装。与传统封装中在基板表面贴装芯片或元件不同,板级埋人式封装直接将芯片或元件...
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  • 三维封装通过非 WB 互连技术实现芯片间的高密度封装,为微电子系统封装在三维空间开辟了一个新的发展方向,可以有效地满足高功能芯片超轻、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求"。该技术主要应用在高速计算、网络和GPU...
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  • 硅通孔(TSV) 是当前技术先进性最高的封装互连技术之一。基于 TSV 封装的核心工艺包括 TSV 制造、RDL/微凸点加工、衬底减薄、圆片键合与薄圆片拿持等。...
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  • 扇出型圆片级封装(FoWLP)是圆园片级封装中的一种。相对于传统封装圆片级封装具有不需要引线框、基板等介质的特点,因此可以实现更轻、薄短、小的封装。扇出型圆片级封装也可以支持多芯片、2.5D/3D 和系统级封装(SP)。...
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  • 圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)是指在圆片状态下完成再布线,凸点下金属和焊锡球的制备,以及圆片级的探针测试,然后再将圆片进行背面研磨减薄...
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  • 球栅阵列 (Ball Crid Array, BGA)封装在封装基板底部植球,以此作为电路的 I/O接口,因此大大提升了 IC 的接口数量,并因其I/O间距较大,使得其SMT 失效率大幅降低。自20 世纪90年代初 BG...
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  • 20 世纪 60年代,出现了双列直插封装 ( Dual In-line Package, DIP)型陶瓷-金属引脚封装,其引脚数量基本为4~64个...
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  • 晶体管外形封装

    2023-2-17 09:10
    金属TO 封装是使用最早、应用最广泛的封装形式。随着封装技术的发展,现在金属TO 封装基本上被塑料TO 封装所取代。...
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  • 在当前计算密集的高性能系统中,动态随机存储器(DRAM)和嵌入式动态随机存取存储器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。...
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  • 磁性隧道结(MTJ)通常是由两层铁磁材料中间夹着薄绝缘屏蔽(MgO 或Al2O3)层组成的,它可以实现双稳态隧道磁电阻 ( Tunneling Magneto - Resistance, TMR),此特性可用于存储逻辑数...
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  • 相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。...
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