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他的动态

发布了文章 2022-10-26 15:46

计算光刻技术的发展

计算光刻 (Computational Lithography)技术是指利用计算机辅助技术来增强光刻工艺中图形转移保真度的一种方法，它是分辦率增强技术(ResolutionEnhancement Technology，RET)的延伸，其关键...

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发布了文章 2022-10-25 18:18

牺牲层技术大致包含哪几个步骤

牺牲层技术自20世纪80 年代美国加州大学伯克利分校开发至今，得到了快速发展。牺牲层技术是 MEMS 工艺设计中有别于传统IC制造工艺技术之一...

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发布了文章 2022-10-24 10:48

什么是极紫外光刻极紫外光刻优势介绍

掩模版的缺陷的光学检测极为困难。通常，光学检测可以获得表面缺陷和相缺陷引起的所有转印缺陷，但是由于 EUV 的多层掩模结构，使得这些缺陷被埋在多层薄膜的下面。...

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发布了文章 2022-10-18 11:20

光刻工艺的基本步骤

传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑，可以满足从 0.13um至7nm ...

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发布了文章 2022-10-17 14:54

移相掩模技术不同的分类方法

光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度，移相掩模方法可使对比度得到改善，从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型，其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消干涉，振幅零点和（或...

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发布了文章 2022-10-12 09:09

空腔-SOI衬底制造MEMS谐振器的工艺流程

常规的绝缘层上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通过注氧隔离 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割（Smart Cut）等方法在体硅衬底中引入绝缘层，从而达到...

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发布了文章 2022-10-11 09:59

MEMS工艺中的键合技术

键合技术是 MEMS 工艺中常用的技术之一，是指将硅片与硅片、硅片与玻璃或硅片与金属等材料通过物理或化学反应机制紧密结合在一起的一种工艺技术。...

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发布了文章 2022-10-10 10:12

干法刻蚀解决RIE中无法得到高深宽比结构或陡直壁问题

在 MEMS 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀（Reactive lon Etching， RIE）、深反应离子刻蚀（Deep Reactive lon Etching， DRIE）和XerF2各向同性蚀刻。...

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发布了文章 2022-10-8 09:16

常见的各向同性湿法刻蚀的实际应用

湿法刻蚀也称腐蚀。硅的湿法刻蚀是 MEMS 加工中常用的技术。其中，各向同性（Isotropic）湿法刻蚀常用的腐蚀剂是由氢氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）组成的混合物（也称为 HNA 腐蚀剂）；对硅的刻蚀速率和对...

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