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ruilian666

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他的动态

发布了文章 2022-11-16 10:58

沟道工艺（Channel Process）

沟道工艺是集成电路的核心工艺之一，它确定了场效应晶体管的基本特性，如阈值电压、短沟道特性、噪声特性、穿通（Punch-througb）特性等，其目的是使场效应晶体管具有稳定的符合要求的电学参数...

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发布了文章 2022-11-15 10:23

模块工艺——隔离工艺（Isolation）

最早的隔离技术是 pn 结隔离，因为加上反向偏压，pn结就能起到很好的天然隔离作用。但是，由于其需要较宽的耗尽层，面积占比和电容均较大，响应速度慢，不适用于集成电路的隔离。...

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发布了文章 2022-11-14 09:34

CMOS集成电路的双阱工艺简析

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区...

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发布了文章 2022-11-14 09:32

模块工艺——双阱工艺（Twin-well or Dual-Well）

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p阱和N阱，如图所示。在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入...

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发布了文章 2022-11-11 09:34

湿法刻蚀和清洗（Wet Etch and Cleaning）

湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代，但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。...

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发布了文章 2022-11-10 09:54

干法刻蚀和清洗（Dry Etch and Cleaning）

干法刻蚀工艺流程为，将刻蚀气体注入真空反应室，待压力稳定后，利用射频辉光放电产生等离子体；受高速电子撞击后分解产生自由基，并扩散到圆片表面被吸附。...

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发布了文章 2022-11-9 09:33

外延工艺（Epitaxy）

固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击...

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发布了文章 2022-11-8 09:48

化学机械抛光工艺（Chemical Mechanical Polishing，CMP）

CMP 所采用的设备及耗材包括抛光机、抛光液（又称研磨液)、抛光垫、抛光后清洗设备、拋光终点(End Point)检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。...

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发布了文章 2022-11-7 10:43

原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）

由于 ALD 技术逐层生长薄膜的特点，所以 ALD 薄膜具有极佳的合阶覆盖能力，以及极高的沉积均匀性和一致性，同时可以较好她控制其制备薄膜的厚度、成分和结构，因此被广泛地应用在微电子领域。...

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发布了文章 2022-11-4 10:56

化学气相沉积工艺（Chemical Vapor Deposition，CVD）

化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底材料表面，从而获得所需薄膜的工艺技术。...

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发布了文章 2022-11-3 15:32

物理气相沉积及溅射工艺（PVD and Sputtering）

物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD)工艺是指采用物理方法，如真空蒸发、溅射（Sputtering）镀膜、离子体镀膜和分子束外延等，在圆片表面形成薄膜。...

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发布了文章 2022-11-2 10:03

退火工艺（Thermal Annealing）介绍

通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对衬底晶格造成损伤。...

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发布了文章 2022-11-1 10:14

等离子体掺杂（Plasma Doping）

通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品，由于离子注入机需要“点”式扫描注入，即使在最高的离子束流下，工...

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发布了文章 2022-10-31 09:06

离子注入与传统热扩散工艺区别

与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。...

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发布了文章 2022-10-27 10:46

集成电路制造工艺中的氧化工艺（Oxidation Process）

湿氧氧化化学反应式为H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在湿氧工艺中，可在氧气中直接携带水汽，也可以通过氢气和氧气反应得到水汽，通过调节氢气或水汽与氧气的分压比改变氧化速率。注意，为了确保安全，氢气与氧气的比例不得超过 1.8...

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