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ruilian666

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发布了文章 2023-1-17 11:39

平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程

该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或湿法刻蚀清除多晶硅；然后形成高k介质（IL-ox/氧化铪)，...

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发布了文章 2023-1-16 10:49

CMOS平面互补场效应晶体管工艺流程

典型的衬底是p型硅或绝缘体上硅（SOI)，其直径为 200mm 或300mm；在多层铜互连中，最上面两层金属较厚（常被用于制造电感或电容)，顶层的铝层用于制造封装用的键合焊盘。...

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发布了文章 2023-1-13 10:19

后段集成工艺（BEOL Integration Flow）- 2

双镶嵌工艺分为先通孔（Via-First）和先沟槽(Trench-First）两种技术。以先通孔技术为例，首先沉积IMD2层（如 SiCN层，厚度约为 50nm，含碳低k PECVD 氧化硅黑金刚石层厚度约为 600nm），然后形成V1...

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发布了文章 2023-1-12 14:11

主侧墙和N+/P+源漏的形成

首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮化硅的复合层，并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体蚀刻，形成复合主侧墙。...

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发布了文章 2023-1-11 09:53

高K介质（High-k Dielectric)和替代金属栅(RMG)工艺介绍

高k介质（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等）模块便成为 32nm/28nmn 和更先进节点上的标准配备...

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发布了文章 2023-1-10 16:12

自对准硅化物 (Self -Aligned Silicide) 工艺

形成多晶硅栅和源漏之后，先用湿法或干法清除在有源区 (AA)和多晶硅栅表面的氧化物，溅射一薄层（厚度范围 10~20nm）金属（钴Co 或镍Ni)，紧接着进行第1次 RTA(温度范围为 400-550°C）...

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发布了文章 2023-1-5 14:08

前段集成工艺（FEOL）

其制造工艺流程如下：首先形成补偿侧墙 (Offset Spacer)，经n+/p+轻掺杂源漏后，选择性地进行图形化，在p型源漏区先进行干法刻蚀，使其凹陷适当的深度(30~100nm)；然后采用湿法各向异性刻蚀形成“钻石”形腔（Diamond...

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发布了文章 2022-12-9 14:45

前段集成工艺（FEOL）-4

在硅表面保留的这一层氧化层，在后续每步工艺中将发挥重要的保护作用。补偿侧墙用于隔开和补偿由于 LDD 离子注入（为了减弱短沟道效应）引起的横向扩散，对于 45nm/28nm 或更先进的节点，这一步是必要的。...

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发布了文章 2022-12-8 09:53

栅氧化层和多晶硅栅工艺示意图解析

当核心区域和 I/O 区域都已经生长晶体管后，沉积多晶硅层（Poly-Si）和硬掩模层（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉积栅叠层(Cate-Stack）后，进行图形化硬掩模（经过光刻步骤)。...

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发布了文章 2022-11-29 16:05

嵌入式源漏选择性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）

源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。...

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发布了文章 2022-11-28 10:20

应变硅（Strained Silicon）

根据应变的作用方向差异，应变还可以分为双轴应变（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y两个方向上形成相对一致的应力）和单轴应变 (Uniaxial Strain,在晶片表面主要沿单一方向的应变)。...

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发布了文章 2022-11-24 10:21

铝/铜互连工艺与双镶嵌法（AL/Cu Interconnect and Dual Damascenes）

铝/铜互连工艺是指将前段工艺制备的晶体管连接起来的工艺。硅片上的金属互连工艺过程是应用化学方法和物理方法制备金属连线的过程，这些金属线在IC电路中负责传导信号，而周围介质层的物性对邻近金属线的影响很大。...

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发布了文章 2022-11-22 14:37

接触孔工艺（Contact Process）

接触孔工艺是集成电路制造中的关键工艺，也是技术难度最高的工艺之一。接触孔的尺寸是集成电路工艺中最小的尺寸之一，是决定芯片面积的关键尺寸。...

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发布了文章 2022-11-21 09:25

集成电路芯片制造中的3种硅化物工艺介绍

为了降低接触电阻和串联电阻，在集成电路制造中引入了硅化物工艺，业界先后采用了可规模生产的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工艺。...

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发布了文章 2022-11-18 11:13

高K金属栅工艺（HKMG）

目前，高K栅介质与金属栅极技术已广泛应用于 28mmn 以下高性能产品的制造，它在相同功耗情况下可以使集成电路的性能大幅度提高，泄漏电流大幅下降。...

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