hxs19880919的个人主页_电子工程师 - 电子技术论坛

hxs19880919

经验：积分：0

查看完整档案 >>

+关注发私信

他的动态

发布了文章 2022-12-20 10:39

功率器件的进阶之路

随着以硅材料为基础的功率器件逐渐接近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比Si和GaAs更优异的特性，给功率半导体产业的发展带来了新的生机。...

0

1034次阅读

0条评论
发布了文章 2022-12-20 10:20

ADI是如何实现抗辐射设计的

ADI与NASA/JPL的合作可以追溯到20世纪80年代初，双方一直致力于推动突破技术极限，开发关键元器件、自定义程序和抗辐射技术。无论其功能是什么，或要执行什么任务，每个元器件都要面对最恶劣的环境条件，包括极端重力、振动、温度波动和辐射。...

0

688次阅读

0条评论
发布了文章 2022-11-25 09:23

宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估

汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC...

0

722次阅读

0条评论
发布了文章 2022-11-16 11:19

揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理

国家空间科学中心空间天气学国家重点实验室陈睿副研究员、韩建伟研究员团队与北京大学电子学院张志勇教授课题组、中科院微电子所李博研究员课题组合作，针对碳纳米管晶体管和静态随机存储器单元...

0

914次阅读

0条评论
发布了文章 2022-11-16 11:00

碳纳米管集成电路综合抗辐照性能研究领域取得重要进展

本工作得到了国家自然科学基金、北京市科技计划项目以及中国博士后科学基金等项目的支持，上述成果系统揭示了碳纳米管电子器件的辐照损伤机理，充分展示了碳基集成电路在抗辐照领域的巨大优势，有望用于航空航天以及深空探测等领域。...

0

1954次阅读

0条评论

1 ...上一页 2 3 4 5 6 7 8 910 / 10 页

ta 的专栏

关注

粉丝

搜索历史

功率器件的进阶之路

ADI是如何实现抗辐射设计的

宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估

揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理

碳纳米管集成电路综合抗辐照性能研究领域取得重要进展

站长推荐 /6