1753782447的专栏_电子工程师 - 电子技术论坛

1753782447

经验：积分：6

查看完整档案 >>

+关注发私信

详解MOS管的寄生电感和寄生电容
2024-2-21 09:45

寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。...

0

2412次阅读

0条评论
IGBT器件的结构和工作原理
2024-2-21 09:41

IGBT器件的结构和工作原理...

0

1741次阅读

0条评论
全碳化硅直流充电设备技术研究案例
2024-2-20 09:47

围绕碳化硅功率器件高频率、高耐压、耐高温的性能,提出一套适用于新能源汽车直流充电设备的拓扑结构方案,...

0

551次阅读

0条评论
晶体管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介绍
2024-2-20 09:44

晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。...

1

1240次阅读

0条评论
关于半导体价值链分析（设计、制造和后制造）
2024-2-19 16:43

半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、前段制程、中段制程、后段制程和远端制程。...

0

1378次阅读

0条评论
具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计
2024-2-19 11:23

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能...

0

1177次阅读

0条评论
浅谈碳化硅功率半导体生产流程
2024-1-25 09:51

碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。...

0

970次阅读

0条评论
碳化硅的激光切割技术介绍
2024-1-23 09:42

晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料，在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅晶体的制备成本相当高，因此人...

0

4943次阅读

0条评论
MOS管体二极管是什么？MOS管体二极管的作用
2024-1-23 09:39

体二极管是MOS管中的一个重要组成部分，它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了，因此出现了SD之间的体二极管。今天我们简单来讲下关于体二极管在MOS管中的作用，以及它能承受多大电流。...

0

5146次阅读

0条评论
Chiplet对英特尔和台积电有何颠覆性
2024-1-19 09:45

Chiplets（芯片堆叠）并不新鲜。其起源深深植根于半导体行业，代表了设计和制造集成电路的模块化方法。为了应对最近半导体设计复杂性日益增加带来的挑战，chiplet的概念得到了激发。以下是有关chiplet需求的一些有...

0

601次阅读

0条评论
100kW碳化硅三相并网逆变器设计
2024-1-19 09:43

摘要：随着人们环保意识的不断提高，传统的化石能源越来越无法满足人们的要求，以太阳能为代表的可再生新能源逐渐引起人们的关注。而并网逆变器作为新能源与电网连接的关键一环，其性能对于整个电网系统都起着至关重要的作用。传统的光伏...

1

1794次阅读

0条评论
碳化硅晶片为什么存在C面和Si面
2024-1-18 09:42

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。...

0

1595次阅读

0条评论
一种结合了SiC和GaN优势的晶体管
2024-1-18 09:40

这是电力电子领域令人兴奋的时代。在硅占据主导地位数十年后，两种较新的材料——碳化硅和氮化镓——已经开始占领价值数十亿美元的市场。例如，碳化硅现在是电动汽车逆变器和充电器的首选半导体。如果您最近为智能手机或笔记本电脑购买了...

0

343次阅读

0条评论
高压快充充电桩产业碳化硅材料模块或成必由之路
2024-1-17 16:26

为适应未来大功率高压快充发展趋势，主流车企及充电运营商已经开始布局大功率快充桩。但高压快充对充电桩的高效性和安全性都提出了更高的要求，在设备方面亟需采用更耐高压、耐高温、安全的新型器件。...

0

1458次阅读

0条评论
碳化硅单晶衬底的常用检测技术
2024-1-17 09:38

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种，各自适用于不同的外延层和应...

0

2140次阅读

0条评论