1753782447的专栏_电子工程师 - 电子技术论坛

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如何实现高功率密度三相全桥SiC功率模块设计与开发呢？
2024-3-13 10:34

为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片...

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晶圆键合工艺流程与关键技术探讨
2024-3-6 10:45

1：制造先进的启动晶片(SOI)的方法。 2：作为一种创建复杂三维结构和腔体的方法，以创造设备功能。(分庭，通道，喷嘴.) 3：作为一种创建封闭的包装方法环境(用于谐振器、反射镜和红外器件的真空封装)...

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三电平逆变器的基本工作原理介绍
2024-2-26 10:09

三电平逆变器基本介绍...

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外延层在半导体器件中的重要性
2024-2-23 11:43

只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？...

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电池储能功率变换系统（PCS)的定义功率变换系统的设计原则
2024-2-23 10:23

功率变换系统（power conversion system，PCS）是与储能电池组配套，连接于电池组与电网之间，其工作的核心是把交流电网电能转换为直流形式存入电化学电池组或将电池组能量转换为交流形式回馈到电网，...

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晶圆到晶圆混合键合的前景和工艺流程
2024-2-22 09:42

3D集成是实现多芯片异构集成解决方案的关键技术，是业界对系统级更高功耗、性能、面积和成本收益需求的回应。3D 堆叠正在电子系统层次结构的不同级别（从封装级到晶体管级）引入。因此，多年来已经开发出多种 3D 互连技术，涵盖...

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基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元设计方法
2024-2-22 09:39

摘要：随着储能变流器向大容量、模块化发展，碳化硅（SiC）器件由于其低损耗、耐高温的特性，逐渐成为研究热点。然而SiC器件过高的开关速度使其对电路中杂散电感更加敏感，并且高温运行环境也会对器件长期安全可靠的运行带来影响。...

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光伏逆变器拓扑概述及关键技术
2024-2-21 09:47

光伏逆变器拓扑概述及关键技术...

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详解MOS管的寄生电感和寄生电容
2024-2-21 09:45

寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。...

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IGBT器件的结构和工作原理
2024-2-21 09:41

IGBT器件的结构和工作原理...

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全碳化硅直流充电设备技术研究案例
2024-2-20 09:47

围绕碳化硅功率器件高频率、高耐压、耐高温的性能,提出一套适用于新能源汽车直流充电设备的拓扑结构方案,...

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晶体管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介绍
2024-2-20 09:44

晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。...

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关于半导体价值链分析（设计、制造和后制造）
2024-2-19 16:43

半导体价值链的制造阶段包括晶圆制造、前段制程、中段制程、后段制程和远端制程。...

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具有低导通电阻的GaN-on-SiC肖特基势垒二极管设计
2024-2-19 11:23

北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底（GaN/SiC）上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管（SBD）的性能...

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浅谈碳化硅功率半导体生产流程
2024-1-25 09:51

碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。...

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