1753782447的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

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变频技术的发展过程简述
2023-11-15 15:59

矢量控制变频调速的做法是：将异步电动机在三相坐标系下的定子交流电流Ia、Ib、Ic、通过三相—二相变换，等效成两相静止坐标系下的交流电流Ia1Ib1，再通过按转子磁场定向旋转变换，等效成同步旋转坐标系下的直流电流Im1、...

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特斯拉的可扩展自动驾驶解决方案
2023-11-10 11:29

特斯拉的自动驾驶策略是仅依赖摄像头。虽然这是一个更具挑战性的问题，但如果特斯拉能够解决它，他们将拥有一个更具扩展性的解决方案。特斯拉不使用高清地图，这是一个更具挑战性的问题。...

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SiC与功率器件半导体材料知识汇总
2023-11-1 15:25

MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。...

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一颗MEMS声学传感器典型的产品构造图详解
2023-11-1 14:50

MEMS芯片负责感知信号，将测量量转化为电阻、电容等信号变化；ASIC芯片负责将电容、电阻等信号转换为电信号，其中涉及到信号的转换和放大等功能。...

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如何从三个维度分析车规芯片和消费电子芯片
2023-10-31 11:22

一块芯片上数十亿个晶体管在高频工作时，会产生大量的动态功耗、短路功耗和漏电功耗，如果不加以控制，不仅会出现计算错误的结果，甚至可以把电路中某些环节会融合到一起而使得芯片无法修复。...

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什么是EUV光刻？EUV与DUV光刻的区别
2023-10-30 12:22

EUV 光是指用于微芯片光刻的极紫外光，涉及在微芯片晶圆上涂上感光材料并小心地将其曝光。这会将图案打印到晶圆上，用于微芯片设计过程中的后续步骤。...

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集电极电流Ic的形成原因电子三极管的电流放大原理
2023-10-27 11:45

放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。...

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功率半导体器件：IGBT模块和IPM模块的定义及区别
2023-10-27 11:40

IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个IGBT芯片、驱动电路、保护电路等功能的模块化电子元件。它是一种用于高功率电力电子设备中的半导体器件，常用于...

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IGBT芯片的结构特点和性能优势
2023-10-19 11:12

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成，如电池、VCU、BSM、电机等，但是这些都是发展比较成熟的产品，国内外的模块厂商已经开发了很多，但是有一个模块需要引起行业内的重视，那就是电机驱动部分，则是电机驱动部分最核心的元件...

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浅谈功率半导体器件与普通半导体器件的区别
2023-10-18 11:16

功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相...

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SiC功率器件的优势和应用前景
2023-10-18 10:34

随着新能源汽车销量暴涨的东风，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程以及实现轻量化等。碳化硅的优越性能使其在更多尖端领域有着迫切的需求。随着航天技术的快速发展，作为航天器的重要组成部分—...

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IGBT与MOS管、可控硅的区别 IGBT驱动电路设计
2023-10-18 10:28

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT。...

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浅析平面型与沟槽型IGBT结构
2023-10-18 09:45

在现今IGBT表面结构中，平面型和沟槽型可谓是各占半壁江山。很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的...

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探讨一下IGBT的片上电流传感器基本原理及用法
2023-10-10 16:01

片上电流传感器的电气原理图如下图所示，按照比例设计一个采样IGBT，并单独引线到外部做采样电路。图中还包含了温度传感器，这里不展开讲。主要聊聊电流传感器。...

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基于扇出型封装结构的芯片失效位置定位方法
2023-10-7 11:29

本文主要设计了用于封装可靠性测试的菊花链结构，研究了基于扇出型封装结构的芯片失效位置定位方法，针对芯片偏移、ＲDL 分层两个主要失效问题进行了相应的工艺改善。经过可靠性试验对封装的工艺进行了验证，通过菊花链的通断测试和阻...

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