1753782447的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

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一文解析SiC功率器件互连技术
2024-3-7 14:28

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。...

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功率MOSFET的正反向导通等效电路图
2024-3-7 11:43

功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。...

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功率半导体2035年市值将达77,757亿日元，SiC等占45%
2024-3-6 11:46

此次调查针对功率半导体18项、零部件材料20项、制造设备19项。调查期间为2023年10月至2024年2月。...

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IGBT导热机理及导热材料的作用
2024-3-6 10:43

根据 IGBT 热传导示意图所示，芯片内损耗产生的热能通过芯片传到外壳底座，再由外壳将少量的热量直接传到环境中去（以对流和辐射的形式），而大部分热量通过底座经绝缘垫片直接传到散热器，最后由散热器传入空气中。...

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半导体封装工艺面临的挑战
2024-3-1 10:30

半导体工艺主要是应用微细加工技术、膜技术，把芯片及其他要素在各个区域中充分连接，如：基板、框架等区域中，有利于引出接线端子，通过可塑性绝缘介质后灌封固定，使其形成一个整体，以立体结构方式呈现，最终形成半导体封装工艺。...

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碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法
2024-2-29 10:30

HTCVD法能通过控制源输入气体比例可以到达较为精准的 Si/C比，进而获得高质量、高纯净度的碳化硅晶体，但由于气体作为原材料晶体生长的成本很高，该法主要用于生长半绝缘型晶体。...

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为什么GaN被誉为下一个主要半导体材料？
2024-2-29 10:26

拥有能够在高频下高功率运行的半导体固然很好，但尽管 GaN 提供了所有优势，但有一个主要缺点严重阻碍了其在众多应用中替代硅的能力：缺乏 P -类型。...

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如何定义MOSFET数据表
2024-2-27 12:13

作为一名功率MOSFET的产品营销工程师，在FET数据表的所有内容中，除了电流额定值之外，我被问到的最多的问题可能就是安全工作区 (SOA) 曲线了。...

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光伏逆变器技术及其未来展望
2024-2-20 11:08

　　二、光伏逆变器主电路拓扑　　1、单相光伏逆变器　　1.1非隔离型单相光伏逆变器...

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SiC MOSFET模块串扰应用对策
2024-2-19 16:29

SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。...

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国内外碳化硅产品标准比对分析
2024-1-24 10:23

碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点，是具有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。...

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晶圆级封装的五项基本工艺
2024-1-24 09:39

在本文中，我们将重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装（WLP）。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺，包括：光刻（Photolithography）工艺、溅射（Sputtering）工艺、电镀（Electrop...

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IGBT搭乘新能源快车打开增长空间天花板
2024-1-17 12:25

功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类，其中晶体管市场规模最大，晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大，用来处理较大功率、大电压的产品，IGBT属于功率器件的一类产品。...

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英伟达新的AI芯片正在被全球疯抢
2024-1-3 16:49

“服务器和存储系统组件市场预计 2023 年全年将增长 11%，这主要是由加速器推动的。Dell'Oro 的 Baron Fung 表示，不包括加速器，预计收入将下降 27%，原因是系统供应商和超大规模云服务提...

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宽禁带半导体技术的前沿发展有哪些
2024-1-3 16:45

逆变器是将直流电转换为交流电的电源电路。在应用设备中，为了实现节能，对小型、轻量、高效的逆变器的需求不断增加。为了实现逆变器的高速运行，已经提出使用宽带隙半导体和结合n沟道和p沟道晶体管的互补功率逆变器。...

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