1753782447的文章_电子工程师 - 电子技术论坛

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关于MOS管电路工作原理的讲解
2024-4-22 12:26

MOS管的话题虽说是老生常谈，但这份资料几年前就有人给我分享过，这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解，从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等...

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SiC MOSFET短路失效的两种典型现象
2024-4-17 12:22

短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用，其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。...

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碳化硅在新型电力体系中的应用
2024-4-16 11:34

目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV，通断电流可达4000A。但在输电系统中，其电压电流等级仍然偏小，需要依靠多电平拓扑或器件串联，来提高耐压能力。...

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MOS管栅极前加100Ω电阻原理分析
2024-4-11 12:43

在MOSFET的栅极前增加一个电阻？ MOS管是电压型控制器件，一般情况下MOS管的导通，只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，并不需要栅极电流。...

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深入解析MOS管的判别与导通条件
2024-4-8 14:41

使用二级管,导通时会有压降,会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。...

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一文详解IGBT 模块的热设计和热管理
2024-4-7 12:36

其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小，芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递，在此过程中会遇到一定的阻力，称为导热热阻。...

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1500V光伏逆变器中的ANPC技术应用
2024-4-7 12:33

在标准NPC的基础上，把钳位二极管换成主开关管，就形成了ANPC,用于解决NPC损耗分布不均带来的热不均根据不同的发波方式，开关管的电流会有所不同，以下分别讨论...

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IGBT模块封装过程中的技术详解
2024-4-2 11:12

IGBT 模块封装采用了胶体隔离技术，防止运行过程中发生爆炸;第二是电极结构采用了弹簧结构，可以缓解安装过程中对基板上形成开裂，造成基板的裂纹;第三是对底板进行加工设计，使底板与散热器紧密接触，提高了模块的热循环能力。...

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深度解析碳化硅功率器件原理和优势
2024-4-1 14:37

SiC市场格局仍由海外巨头主导，市占率排名依次是：意法半导体、英飞凌、wolfspeed、罗姆、安森美、三菱电机等。...

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半导体先进封装Wafer技术的深度解析
2024-3-29 11:38

摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为;集成电路上可容纳的品体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这一定律揭示了信息技术进步的速度。...

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IGBT模块封装过程中的技术详解
2024-3-27 12:24

IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。...

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探索BJT、CMOS、DMOS等半导体工艺技术
2024-3-27 11:45

双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管。晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动，由于同时涉及到电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双...

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一文详解芯片上的集成技术
2024-3-13 14:43

封装内集成的基本单元是上一步完成的裸芯片或者小芯片Chiplet，我们称之为功能单元 (Function Unit)，这些功能单元在封装内集成形成了SiP。...

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MOS管和IGBT管到底有什么区别
2024-3-13 11:46

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍...

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单相并网光伏逆变器主电路拓扑及其优缺点
2024-3-8 15:16

本文首先对集中型和组串型并网逆变器进行介绍，然后对组串型逆变器的拓扑进行分类，最后主要讲述市场上常用单相并网光伏逆变器主电路拓扑及其优缺点。...

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