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  • 发布了文章 2024-10-15 15:21

    原子层镀膜在功率器件行业的应用
    本文小编分享一篇文章，本文介绍的是原子层镀膜在功率器件行业的应用，本文介绍了原子层镀膜技术在碳化硅功率器件和氮化镓功率器件中的应用，并介绍了原子层镀膜技术解决的问题以及这项技术的优越性。...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:16

    什么是二极管的反向恢复
    IGBT的续流二极管是个很有意思的东西，对模块整体的性能影响很大，今天就聊聊它。...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:12

    SJMOS微逆变是什么？有哪些优点？
    “光伏”是当下新能源行业的热门话题。随着全球能源危机不断加剧，太阳能作为一种绿色、可再生的能源逐渐受到人们的关注。在太阳能发电系统中，光伏逆变器的作用不可或缺，它可以将太阳能电池板所发的直流电转化成家电使用的交流电。...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:07

    超结结构工艺实现方式
    在过去的二十年，MOSFET主要用作开关器件，得到了长足的发展，由于它是多子器件，有相对较小的开关损耗，但其通态功耗较高，要降低通态功耗，导通电阻受击穿电压限制（导通电阻与击穿电压的2.5次方呈正比）无法再下降而存在一个极限，被称为“硅极限...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:04

    功率半导体封装的趋势分析
    随着电动汽车和可再生能源的不断普及，功率半导体市场正迎来显著增长，并在封装领域发生巨大变革。封装的复杂性逐渐增加，以适应各种高功率和高温条件的应用。英飞凌中功率电压MOSFET总监Brian LaValle指出：“随着我们在硅本身方面取得进...
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  • 发布了文章 2024-10-15 14:59

    科力微电子产品在便携式储能的应用
    ‍ 面向消费者的便携式储能是储能市场新的蓝海分支，一方面行业正处于高速发展期，另一方面产品具有消费品属性。便携式储能又称“大号充电宝”“户外电源”，广泛应用于户外旅行、应急备灾等场景。其带电量通常为0.2-2kWh，输出功率100-2200...
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  • 发布了文章 2024-10-15 14:50

    VDMOS技术概述和特点
    在过去的二十年间，MOSFET作为开关器件发展迅速。然而，由于MOSFET的通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，被称为“硅极限”。为了突破这一限制，研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMO...
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  • 发布了文章 2024-10-15 14:47

    超结MOSFET的结构和优势
    在我们进入超结MOSFET的细节之前，我们先了解一些背景知识。...
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  • 发布了文章 2024-10-15 14:30

    使用并联功率MOSFETS的要点和范例
    引言：双极晶体管由于是基极电流驱动，因此电流平衡容易被基极-发射极电压VBE的波动所破坏，使得并联连接均衡变得困难。而功率MOS是由电压驱动的，因此只需要向并联连接的每个场效应晶体管提供驱动电压就可以保持相当不错的均衡性，这使得并联连接相对...
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  • 点赞了视频 2024-10-9 17:45

    简便安装，零要求高度，一体化设计 SD202型拉线地表位移监测设备
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  • 发布了文章 2024-10-8 17:54

    MOSFET在消费类终端的应用
    PC电源是一个无工频变压器的四路开关稳压电源，其中涉及整流、高频变化和脉宽调制技术;其具有体积小、效率高和过流过压保护的特点。...
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  • 发布了文章 2024-10-8 17:31

    如何检测SiC IGBT模块失效芯片
    当前，在国际节能环保的大趋势下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域迅速发展，加上我国经济快速腾飞，能源需求量大幅上升，在这样的背景下，各企业对SiCIGBT模块的需求逐步扩大，新兴行业的加速发展也持续推动SiCI...
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  • 发布了文章 2024-10-8 17:29

    TOLL封装MOS管的特点和使用注意事项
    TOLL封装是一种具有小体积、低封装电阻和低寄生电感的封装形式，常用于MOSFET。...
    0
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  • 发布了文章 2024-10-8 17:21

    功率MOSFET在电池管理充放电系统中的应用
    功率MOSFET需要在锂离子电池组内部和输出负载之间串联。同时，专用IC用于控制MOSFET的开启和关闭，以管理电池的充放电，如图1所示。在消费类电子系统中，如手机、笔记本电脑等，带有控制IC、功率MOSFET和其他电子元件的电路系统称为保...
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  • 发布了文章 2024-10-8 17:16

    VDMOS器件关键参数介绍
    如图1所示，VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集，图中S为源极，D为漏极，G为栅极。...
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