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  • 发布了文章 2024-10-16 13:52
    碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优...
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  • 发布了文章 2024-10-16 13:48
    按照电机的工作电源划分,可将电机划分为直流电机和交流电机。...
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  • 发布了文章 2024-10-16 13:44
    性能需求分析主要指根据车辆的最高车速、加速性能、爬坡能力等整体性能需求,去确定该车辆搭载的驱动电机所需匹配的额定功率、峰值功率、最大扭矩、扭矩-转速特性曲线(外特性曲线)等基本性能参数。...
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  • 发布了文章 2024-10-16 13:32
    摘要:碳化硅(SiC)功率模块在电动汽车驱动系统中起着至关重要的作用。为了提高功率模块的性能、减小体积、提高生产效率,本文提出了一种基于多堆叠直接键合铜(DBC)单元的功率模块封装方法,以并行更多的芯片。该方法利用互感对消效应来减小寄生电感...
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  • 点赞了视频 2024-10-16 11:46
  • 发布了文章 2024-10-16 11:41
    先进封装技术持续朝着连接密集化、堆叠多样化和功能系统化的方向发展,探索了扇出型封装、2.5D/3D、系统级封 装等多种封装工艺。晶圆微凸点技术已被广泛应用于各种先进封装工艺技术中,是最重要的基础技术之一。本文介绍了微凸点 制备的主要技术并进...
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  • 发布了文章 2024-10-16 11:36
    汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件,能够适应更高的电压,拥有更快的开关速度,并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗,而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。...
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  • 发布了文章 2024-10-16 11:29
    过去三十年,碳化硅功率半导体行业取得了长足的进步,但在降低缺陷方面依然面临着重大挑战。其主要问题是——碳化硅与栅氧化层之间的界面处存在着大量的缺陷。在NMOS中, 反型层中产生的电子被高密度的界面陷阱等缺陷捕获,导致沟道内有效载流子数目大幅...
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  • 点赞了视频 2024-10-16 04:45

    振弦采集采发仪VS多通道操作视频

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  • 点赞了视频 2024-10-16 01:05

    程斯-医用针管刚性测试仪-视频.

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  • 发布了文章 2024-10-15 15:37
    随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,驱动电机的转速也呈现出了惊人的增长态势。从数年前的18000rpm,到如今的轻松超越20000rpm,这不仅仅是数字上的突破,更是对电机设计和制造技术的一次次严峻考验。本文就高速电机开发的几个点与大家探讨下...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:34
    芯片行业正迎来一场重大变革, 玻璃基板的开发正在为芯片材料的转型奠定基础。 在应用的过程中困难重重,但其潜力不可小觑,可能需要数年时间才能完全解决相关问题。十多年来,用玻璃取代硅和有机基板的讨论不断进行,尤其是在多芯片封装领域。...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:29
    在电子交通、可再生能源和数据中心等具有重大创新的行业的推动下,对功率器件的需求不断增加。当今的功率应用具有持续更严格的要求,最重要的是与实现更高的效率(从而减少电力损耗)以及重量和尺寸的减少联系在一起。...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:26
    因为IGBT大部分应用场景都是感性负载,在IGBT关断的时候,感性负载会产生很大的反向电流,IGBT不能反向导通,需要在IGBT的两端并联一个快速恢复二极管(FRD)来续流反向电流,这导致传统IGBT模块体积较大,难以满足当今市场对大功率、...
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  • 发布了文章 2024-10-15 15:23
    在电力电子技术的快速中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术以其高效、可靠的性能,成为众多领域的核心组件。从微小的IGBT芯片到复杂的IGBT器件,每一个组成部分都承载着推动电力电子技术进步的使命。下面,我们将逐一深入解析IGBT芯片、IGB...
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