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  • 近日,基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)宣布推出负载开关产品系列,进一步扩充其模拟和逻辑产品组合。NPS4053是本次产品发布的主角,这是一款高密度集成电路(IC),凭借小巧的尺寸提供优异的...
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  • 绝缘栅双极性晶体管(IGBT)面市已有些时日,事实上,通用电气(GE)早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起,IGBT成为了中压和高压(>200 V )应用的主要器件,包括供暖通风与空气调节(HVA...
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  • 近日,基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术,是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的新型电池寿命增强器,相比...
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  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大...
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  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装,而现在新增了 LFPA...
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  • 业内唯一可同时提供级联型(cascade)和增强型(e-mode)氮化镓器件的供应商。...
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  • 2022年营收业绩显示,产品和人员方面的大量投资为企业创造了更多收入。...
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  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用输入输出(GPIO)扩展器产品组合,旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款 GPIO 扩展器 NCA9...
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  • 本应用笔记介绍适用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的现代半导体 ESD 保护器件的特性。ESD 保护器件的作用是实现稳健的系统,使系统能够承受破坏性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了...
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  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC 肖特基二极管满足工...
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  • 对快速 GaN 器件进行基准测试是一项具有挑战性的任务,需要特殊定制的 PCB 布局。为获得准确结果,需要超低的杂散电感和高带宽电流测量。...
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  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出能量采集解决方案,进一步丰富其电源管理 IC 系列。该方案可简化低功耗物联网(IoT)及其嵌入式应用,并增强应用性能。NEH2000BY 是高...
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  • 由世纪电源主办的第十三届亚洲电源技术发展论坛在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在论坛同期举办的 2022 电源行业配套品牌颁奖晚会评选中,Nexperia(安世半导体)凭借高效率、高可靠性 GaN(氮化镓)器件在市场的...
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  • 为应用选择一款功能强大的 MOSFET 要考虑多重因素,例如:需要保留多少裕量,以及如果未来应用需要更高功率怎么办?与此同时,当选型涉及尺寸及封装要求,同时又要最高效地满足设计需求,愈发具有挑战性。...
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  • 可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是,由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度,因而在许多应用中,需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平,从而确保BJT稳定安全地工作。...
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