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qq876811522

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发布了文章 2022-11-2 11:03

13种功率半导体器件介绍

IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。...

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发布了文章 2022-11-2 10:54

浅析MOS管、三极管及电路中的三极管符号

推挽输出是用两个晶体管或者场效应管构成的推挽电路，电路的特点就是输出电阻小。可以输出高,低电平,连接数字器件。...

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发布了文章 2022-11-1 16:24

电动汽车中的碳化硅半导体

电动汽车充满了需要电力的电子设备，从牵引逆变器到车载充电器和辅助电源。在所有情况下，为了实现高效率，开关模式技术都用于生成电压轨，这依赖于以高频运行的半导体。...

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发布了文章 2022-11-1 11:42

GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展

摘要: GaN 器件大功率､高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题，严重导致器件性能和寿命衰减，使 GaN 器件的高功率性能优势远未得到发挥，片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径｡针对上述问题，详细论述了GaN 器件热...

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发布了文章 2022-11-1 10:43

SiC MOSFET相对于Si MOSFET和IGBT的优势

ROHM 具有电流隔离功能的新型晶体管栅极驱动器 ( BM6112 ) 非常适合应对驱动 SiC MOSFET 的独特挑战。它可以驱动高达 20A 的大电流，驱动高达 20V 的栅极电压，并且以小于 150ns 的最大 I/O 延迟完成所有...

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发布了文章 2022-10-28 16:24

碳化硅技术如何变革汽车车载充电

用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器，以增加负载的功率因数...

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发布了文章 2022-10-25 10:53

MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手

要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。...

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发布了文章 2022-10-18 15:42

DRAM和NAND闪存和其它存储器技术的区别

相变存储器或 PCM 使用材料的一些主要物理转变——例如结晶态和非晶态之间的转变——以及相关的电气特性变化——来存储数据。...

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发布了文章 2022-10-14 17:52

介绍碳化硅产品的应用方向和生产过程

相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。...

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