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qq876811522

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发布了文章 2022-11-15 11:19

功率半导体市场前景巨大国内企业有望迎来黄金发展期

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，在电子电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，下游应用广泛，几乎涵盖所有电子制造业。近年来，功率半导体的行业市场规模稳健...

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发布了文章 2022-11-14 10:39

CMOS图像传感器技术特点及应用规模

CMOS图像传感器（CIS）是模拟电路和数字电路的集成。主要由四个组件构成：微透镜、彩色滤光片（CF）、光电二极管（PD）、像素设计。...

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发布了文章 2022-11-14 10:37

MOSFET开关中电压尖峰的形成原因、后果及解决方案

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static...

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发布了文章 2022-11-12 10:01

碳化硅功率器件封装关键技术

二十多年来，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升;碳化硅材...

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发布了文章 2022-11-11 12:07

全球和中国MCU市场趋势

按照位数来划分，MCU可分为4位、8位、16位、32位和64位微处理器，现在32位MCU已经成为主流，正在逐渐替代过去由8/16位MCU主导的应用和市场。若按照指令集架构(ISA)来划分，MCU类型包括8051、Arm、MIPS、RISC-...

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发布了文章 2022-11-10 17:31

MOSFET的早期历史

一直到1948年贝尔实验室宣布发明晶体管的20多年后，硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET或MOS晶体管)才成为重要的商业产品。而MOSFET的基本概念——在半导体三极管结构中通过横向电场对导电性进行调控，首次出现是在1928年的一...

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发布了文章 2022-11-9 16:36

车规级MCU芯片国内发展现状如何

据了解，目前传统汽车控制器数量约为40～70个／辆，芯片400～700个／辆，新能源车则至少要增加20％的需求量。Strategy Analytics的数据显示，传统燃油车各类芯片应用占比中，占比最高的是MCU，占比为23％，其次是功率半导...

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发布了文章 2022-11-8 16:50

碳化硅功率器件的封装关键技术及所面临的挑战和机遇

目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用传统 Si器件的封装方式，如图 1 所示。该方式首先通过焊锡将芯片背部焊接在基板上，再通过金属键合线引出正面电极，最后进行塑封或者灌胶。传统封装技术成熟，成本低，而且可兼容和替代原有 Si 基器件。...

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发布了文章 2022-11-8 15:40

基于SiC功率器件的电机控制器应用及发展趋势

电机控制器是新能源汽车中电池电能转换机械能的控制部分，功率控制模块是电机控制器中核心电能转换器件。据弗迪动力测算，SiC能够提升电控系统中低负载的效率，整车续航里程增长5~10%；提升控制器功率密度, 由原18kW/L提升至45kW/L，有...

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发布了文章 2022-11-7 14:14

MOS管选型七要素

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET，它有N沟道管和P沟道管两种类型。...

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发布了文章 2022-11-6 21:20

新能源汽车中功率半导体的解析

随着汽车电动化、智能化、网联化等发展，汽车电子迎来结构性变革大机会。在传统燃料汽车中，汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子系统中。按照功能划分，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU、传感器及其他...

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发布了文章 2022-11-6 18:50

SiC功率器件的发展及技术挑战

碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。...

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发布了文章 2022-11-3 16:51

一种无晶体管的内存计算架构的原理和器件物理特性

为了推进人工智能，宾夕法尼亚大学的研究人员最近开发了一种新的内存计算 (CIM) 架构，用于数据密集型计算。CIM 在大数据应用方面具有诸多优势，UPenn 集团在生产小型、强大的 CIM 电路方面迈出了第一步。...

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发布了文章 2022-11-3 10:14

电动汽车中的碳化硅半导体

今天开关的选择多种多样：IGBT 因其低传导损耗而在非常高的功率下受到青睐，而 MOSFET 在中低功率下占主导地位，其快速开关可最大限度地减少相关组件的尺寸和成本，尤其是磁性元件。...

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发布了文章 2022-11-2 16:51

IGBT的工作特性与工作原理分析

图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟...

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