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qq876811522

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发布了文章 2022-12-8 11:40

影响SiC和GaN器件选择的主要因素有哪些

由于其固有的特性，宽禁带半导体(WBG)在许多功率应用中正逐步取代传统的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的击穿电压高于1kV，这是电动汽车逆变器等功率应用的关键要求。另一方面，氮化镓(GaN)支持比其他半导体高得多的开关频率，并提...

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发布了文章 2022-12-8 09:24

功率晶体管的历史和新兴设计

到20世纪中叶，电力已然在人们的生活中发挥着重要作用。爱迪生发明的电灯通过照亮街道、工厂和住宅，提高了生产力、生活质量和安全性;通过高效电机实现的制冷，改变了家庭中易腐食品的储存方式，同时在从农场运送到市场的过程中能够实现对其的低温保存。在...

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发布了文章 2022-12-7 15:02

关于MCU微控制器的历史

日本计算器供应商夏普、佳能和Busicom与各种美国半导体供应商合作，为他们的计算器开发定制芯片。夏普与罗克韦尔合作，佳能与TI合作，Busicom与Mostek和英特尔合作开发不同型号的计算器。...

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发布了文章 2022-12-5 14:03

功率器件热界面材料研究进展

摘要：随着功率器件向微型化、集成化快速发展，其产生的功率密度随之显著增加，对散热技术也提出了更高的要求。热界面材料用于填充固体界面间的气体空隙，减小界面接触热阻，因而在功率器件热管理中发挥着重要的作用。本文综述了近年来国内外热界面材料的研究...

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发布了文章 2022-12-2 16:26

全面解读瑞萨汽车电子产业战略

“在新的电子构架的快速发展上，瑞萨的产品能够完美的覆盖不同等级的新电子构架的需求，包括中央计算单元，大算力SoC等产品；域控方面有新一代的28nm的单片机产品，可以说它是为域而生的，这个产品它能够完美地涵盖不管是以应用为主的域的定义...

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发布了文章 2022-12-2 16:19

电动汽车电机控制器功率器件热管理技术

IGBT是电机控制器最为关键的功率器件，为了提高电驱系统的可靠性和性能，需要获得IGBT的温升情况并主动进行热管理。文献通过改变IGBT开关频率、调整调制模式等方法降低开关损耗，来降低结温波动，但没有考虑电频率对结温的影响。...

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发布了文章 2022-12-1 16:25

新型的CMOS图像传感器功耗大幅降低

一项新的研究发现，通过为大多数数码相机中的原子薄型 CMOS 传感器提供计算能力，原型传感器阵列可以使用比传统传感器少数千到数百万倍的功耗来捕获图像。...

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发布了文章 2022-12-1 16:23

一种新型的CMOS图像传感器

一项新的研究发现，通过为大多数数码相机中的原子薄型 CMOS 传感器提供计算能力，原型传感器阵列可以使用比传统传感器少数千到数百万倍的功耗来捕获图像。...

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发布了文章 2022-11-30 16:11

RISC-V能否超越x86、Arm，成为新一代计算机系统架构？

指令集架构(Instruction Set Architecture，缩写为ISA），是一组指令的集合，指令是指处理器进行操作的最小单元（譬如加减乘除操作或者读／写存储器数据）。指令集架构，有时简称为“架构”或者称为“处理器架构”有了指令集...

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发布了文章 2022-11-29 15:42

2023年GaN功率半导体增加数据中心和电动汽车的可持续性法规

随着电气化大趋势的强劲势头和越来越多的包含半导体的产品，经济的赢家和输家将主要取决于那些能够更好地管理其供应链的人，这些供应链不仅能够为企业和消费者生产现有商品 - 而且在不久的将来创新之火。...

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发布了文章 2022-11-28 16:18

车规级功率半导体：IGBT和MOSFET是主要产品

功率半导体发展过程在半导体功率器件中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率二极管、功率三级管和晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点，应用前景十分广阔。...

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发布了文章 2022-11-28 15:05

碳化硅MOSFET器件结构、特点特性及应用分析

对于硅，随着耐压的升高，每单位面积的电阻也会增加（大约是耐压的2.5次方的平方）。因此，IGBT（绝缘栅双极晶体管）主要用于600V以上的电压。IGBT能够通过电导调制提供比MOSFET更低的导通电阻，其中少数载流子（空穴）被注入漂移层。...

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发布了文章 2022-11-21 11:51

功率半导体在电动汽车充电中的作用

电池的充电过程，其实是电池内部的一系列的氧化/还原反应。目前电动汽车通常搭载锂离子电池、钠离子电池等，其结构包含正负极材料、隔膜以及电解液等。...

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发布了文章 2022-11-18 12:33

6吋氮化镓单晶背后关键核心技术解析

制造大直径GaN衬底的要点（钠熔剂法）丰田合成表示，6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。...

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发布了文章 2022-11-18 11:26

常见的功率半导体器件有哪些？优缺点分析

IPEM是将电力电子装置的诸多器件集成在一起的模块。它首先是将半导体器件MOSFET，IGBT或MCT与二极管的芯片封装在一起组成一个积木单元，然后将这些积木单元迭装到开孔的高电导率的绝缘陶瓷衬底上，在它的下面依次是铜基板、氧化铍瓷片和散热...

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