qq876811522的个人主页_电子工程师 - 电子技术论坛

qq876811522

经验：积分：6

查看完整档案 >>

+关注发私信

他的动态

发布了文章 2023-2-17 18:06

功率MOS电路原理解析

功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。...

0

879次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-17 12:46

浅谈功率半导体市场的状况，增长势头过于强劲

Hanebeck曾提到英飞凌准备斥资数十亿欧元进行收购。整合是我们在过去几年中观察到的市场增长趋势。特别是在宽带隙半导体材料供应方面，特别是碳化硅 (SiC)。...

1

556次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-15 14:04

稳压二极管电路常应用的电路介绍

电源开关S1正常接通时，+V通过Rl加到VD1上的电压不够大，不足以使VD1导通，所以VD1处于截止状态，不影响电路正常工作。...

0

971次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-14 15:37

半导体变迁史科普：计算机、晶体管的问世

无可否认，不论是半导体技术还是其产业本身，都已经成为所有市场中最大的产业之一。全球媒体、企业和政府也纷纷把目光投向了半导体工厂的下一个建设地。而每一次的技术革新都会进一步增加对智能设备的需求，半导体芯片的重要性也随之变得愈加突显。...

0

940次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-11 09:21

测量功耗并计算二极管和IGBT芯片的温升

根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确测量这些损耗通常需要使用示波器，通过电压和电流探针监视器件运行期间的波形。...

0

1605次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-10 15:07

功率半导体起飞，制程向12英寸拓展

作为中国功率半导体业界龙头之一的华润微电子宣布，重庆12英寸晶圆制造产线，以及先进功率封装测试基地等两大建设计划，均已建成投产，标志着华润微车用功率装置产业基地已初步成形。...

0

614次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-10 11:14

全球MCU市场分析一文看懂兆易创新MCU

随着应用需求不断细化、提升，32位MCU已成为市场主流，并演化出低功耗、无线型、主流型和高性能等几大产品方向。...

0

1428次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-9 14:44

又一SiC功率器件公司获超亿元融资！

2022年3月，昕感科技完成超亿元A轮融资，由蓝驰创投领投，博裕资本、水木清华校友基金、海南赢玺投资有限公司、北京锎澜投资管理有限公司参与融资。融资主要用于产品开发和扩大运营。...

0

804次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-9 14:05

功率器件的应用场景及制造流程

　　功率半导体是电能转换的载体，22 年全球功率器件市场约为281亿美元，2022- 25年CAGR 8.2%。功率半导体是功率器件与电源管理IC的集合，其中功率器件例如二极管、MOSFET 及IGBT等作为快速的电子“开关”可实现电流、电...

1

528次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-7 12:02

800V车规碳化硅功率模块衬底和外延epi分析和介绍

厚度以及一致性掺杂和一致性表面缺陷快速检测和标识追踪能力底部缺陷快速检测和标识追踪能力控制扩展缺陷清洗大尺寸的晶圆翘曲度的控制...

0

1224次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-7 09:41

瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。...

0

443次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-7 09:12

基于大功率三电平IGBT模块并联的参考设计

赛米控近期完成了基于成熟大功率三电平IGBT模块并联的功率模组参考设计与测试验证。本文将详细的介绍这款设计。...

0

2363次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-6 16:25

意法半导体CEO：计划2023年投资40亿美元增加碳化硅产能

技术方面，意法半导体与Soitec就碳化硅晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体希望通过此次合作，使其未来200mm晶圆生产可以采用Soitec的Smart碳化硅技术。...

1

896次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-6 14:40

详细的MOSFET制造工艺流程及版图设计

　　带保护环的SiC屏蔽DMOSFET的模拟　　A.Kanale和B.J.Baliga，“加强短路电流抑制方法的比较”1.2kV SiC功率MOSFET的性能研究：一种采用串联门极器件的新方法源-短Si耗尽模MOSFET vsa系列电阻...

0

2813次阅读

0条评论
发布了文章 2023-2-6 14:39

IGBT有源钳位技术的介绍

IGBT有源钳位技术的介绍...

0

2068次阅读

0条评论