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续流二极管相关参数测量与评估方法
2022-4-13 13:54

利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管(即FRD)的相关参数进行测量与评估。...

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电磁炉IGBT管损坏的主要原因
2022-4-11 14:42

在电磁炉中，IGBT是一个损坏占有率很大的元器件，在没有查明故障原因的时候就试机，会引起IGBT再次损坏。...

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IGBT选型方法及影响IGBT可靠性因素
2022-4-8 13:43

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。作为少数载流子器件，IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性，同时拥有与MOSFET十分相似的栅极结构，能实现轻松控制。此外，由于无需采用集...

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硅晶圆制造中需要的半导体设备
2022-4-2 15:47

制作一颗硅晶圆需要的半导体设备大致有十个，它们分别是单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学机械抛光机、***、离子注入机、引线键合机、晶圆划片机、晶圆减薄机。 1、单晶炉单晶炉是一种在惰性气体(氮气、...

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IGBT保护技术在光伏逆变器的应用
2022-3-31 15:06

光伏逆变器是光伏系统非常重要的一个设备，主要作用是把光伏组件发出来的直流电变成交流电，除此之外，逆变器还承担检测组件、电网、电缆运行状态，和外界通信交流，系统安全管家等重要功能。一款全新逆变器的产出需要两年多的时间，前期...

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电感器概述、分类及特性
2022-3-30 16:17

电感线圈是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要。电感器和电容器一样，也是一种储能元件，它能把电能转...

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IGBT开关时间的定义
2022-3-26 18:33

IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，...

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电子元件中的电容器盘点，你了解多少
2022-3-25 21:09

电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容的符号是C。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控...

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防止变频器过电压的措施有哪些
2022-3-24 09:01

接上文，变频器过电压产生的原因主要是电源过电压和再生过电压。那么防止变频器过电压的措施有哪些？涉及到具体的解决方法又有哪些？...

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导致逆变器场效应管发热的原因有哪些
2022-3-20 11:17

逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过管子的电流很大，若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效应管发热。...

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变频器常见的三类过电流故障
2022-3-20 11:14

变频器的过流故障可分为短路、轻载、重载、加速、减速、恒速过电流，分析变频器出现过流故障的原因应从两方面来考虑：一是外部原因；二是变频器本身的原因。...

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降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法
2022-3-17 09:35

在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以2.4-2.6次方增长，其增长...

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检测IGBT模块的方法有哪些
2022-3-11 16:24

根据IGBT的等效电路图可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，...

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用指针式万用表对MOS管进行判别
2022-3-11 11:20

mos管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会...

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变频器对电动机的影响有哪些
2022-3-11 11:20

本期小编将从电动机的效率和温升的问题、电动机绝缘强度问题、谐波电磁噪声与震动、电动机对频繁启动、制动的适应能力、低转速时的冷却问题等5个方面来为大家讲解变频器对电机的影响。...

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