多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流子存在,IGBT关断是电流会拖尾,关断速度会减低;MOS就是MOSFET的简称了;IGBT和MOS是全控器件,是电压型驱动,即通过控制栅极电压来开通或关断器件;可控硅是半控器件,电流型驱动,即给栅极通一定的电流,可以是可控硅开通,但是一旦开通,就不受栅极控制,将栅极的电压电流信号去除,仍然保持开通,只用流过可控硅的电流减小,或可控硅AK两端加反压,才能关断;IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz,但可控硅一般在1KHz以内。