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冬至子
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工程师 sda
山西省 大同市 丨 技术支持
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:47

    热电堆与NTC这两类传感器有什么不一样的使用方式
    NTC的温度传感器是属于接触式的测量应用，是直接对物体的温度进行采集，然后测量得出电信号，再计算成温度值。...
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:42

    热电堆红外传感器在微波炉中的应用
    热电堆测量原理：在测量过程中，热电堆红外传感器与待测物体进行对准，感应物体发出的红外线，红外线转换成模拟电压信号，热电堆红外温度传感器的温度由热敏电阻检测，最后使用信号处理单元计算物体温度和传感器的温度，并通过传感器上的集成SPI接口进行结...
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:37

    浅析MR25HxxxDF的2.0mm裸露底垫新封装
    EVERSPIN的SPI产品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盘的新型DFN8封装。这种新封装允许该器件既可用于JEDEC标准SOIC-8引脚又可用于DFN8 PCB焊盘图案...
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:31

    介绍一款超小型封装尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT
    使用的存储单元可以执行1013次写/读操作，大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数。不需要像闪存和E2PROM这样的长写入时间，并且写入等待时间为零。 因此，无需等待写入完成序列。...
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:26

    MM32L073单片机的产品特性与应用概述
    MM32L073提供LQFP48、LQFP32、QFN32和TSSOP20共4种封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。...
    0
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:20

    MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面
    MRAM是使用单个一体化的机台进行物理气相沉积(PVD)，可以精确地沉积20至30个不同的金属和绝缘层，每个金属层和绝缘层的厚度通常在0.2至5.0nm之间。...
    0
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:15

    MCU系统设计中Iot RAM的潜在应用
    通过用IoT ram替换DRAM，消除了对外部刷新控制器的需求，这降低了接口的复杂性和相关的验证成本，利用了外部SPI接口的使用，同时保持了最新IoT应用程序所要求的高性能水平，并降低整个系统的功耗。...
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  • 发布了文章 2022-11-17 15:07

    如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器呢
    SRAM是一种具有静止存取功能内存的静态随机存储器，不需要进行刷新电路便能保存它内部存储的数据。...
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    593次阅读
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:58

    STT-MRAM非易失性磁随机存储器的优点及其应用有哪些
    反铁磁性材料在微观尺度上有磁性，但在宏观尺度上却没有。这意味着用这些材料制成的MRAM单元的相邻位之间没有磁力-这意味着您可以将它们非常紧密地包装在一起。...
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    1188次阅读
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:53

    介绍一下关于静态存储SRAM芯片的设计
    SRAM即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。...
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    1090次阅读
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:43

    谈谈当静态SRAM芯片存储字节的过程是怎样的
    对于X86处理器，它通过地址总线发出一个具有22位二进制数字的地址编码－－其中11位是行地址，11位是列地址，这是通过RAM地址接口进行分离的。...
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    745次阅读
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:40

    静态随机存储器SRAM存储数据的原理是什么
    RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。...
    0
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:35

    Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
    为了使设计人员能够快速集成ST-DDR4支持，该过程从Xilinx Vivado开发环境中生成的现有8Gb DDR4 SDRAM-2666存储器接口生成器（MIG）开始。...
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:32

    关于MRAM演示软件的分析
    在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。...
    0
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  • 发布了文章 2022-11-17 14:29

    基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件存在的两个弊端
    随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场，面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的长宽比。...
    0
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