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  • 什么是功率半导体？IGBT 的下一步是什么？ 2022-06-15 16:32
    BC-IGBT 由结构顶部和底部的栅极组成。东京大学的研究员 Takuya Saraya 在论文中说：“IGBT 的一个主要缺点是其开关频率相对较低，因为其基区会积累电荷载流子。” “通过使用背面 MOS 栅极来加速电子漏极和阻止空穴注入，实现了 60% 以上的关断损耗降低。”
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  • 硅片减薄蚀刻技术：RIE技术将硅片减薄到小于20微米 2022-06-10 17:22
    引言 高效交叉背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积，从而为家庭消费提供足够的能量。我们华林科纳认为，借助光阱方案，适当钝化的IBC电池即使厚度小于20μm也能保持20%的效率。在这项工作中，使用光刻和蚀刻技术将晶体硅(c- Si)晶片深度蚀刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻胶，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法各向异性蚀刻和基于等离子体的反应离子蚀刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蚀刻的制造层。4英寸c-Si晶片的TMAH蚀刻在80℃的温度
    华林科纳半导体设备制造
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