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MOS管的米勒效应解析 2023-02-03 15:35

　　在说MOS管的米勒效应之前我们先看下示波器测量的这个波形。

Baekhyn0506

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90W PFC+半桥 LLC参考设计 2021-10-11 14:52

Monolithic Power Systems 的EV44010-S+HR1000-S-01B评估板为 90W ac-dc 适配器提供参考设计。该板采用非常小的外形尺寸设计，具有非常高的功率密度。该设计的输入电压范围为 90 至 265Vac，输出为 19.2Vdc/4.7A，适合用作高端便携式计算机电源适配器。该板的特别优势是非常低的空载功耗 (0.5W) 和非常高的整体效率。 EV44010-S+HR1000-S-01B 基于两级方法：前级是使用 MP44010 的升压 PFC 预调节器；第二级是使用 HR1000 和 MP6922 的带有同步整流器的半桥谐振转换器。 MP44010 是一

ben111

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基于GaN的LLC解决方案缩小尺寸并提高效率 2021-10-11 14:49

GaN 高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 具有更低的驱动损耗和更短的死区时间电路优势，因为栅极显着减少与硅 MOSFET 相比，GaN 高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 具有更低的驱动损耗和更短的死区时间电路优势，因为栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 显着降低。因此，GaN HEMT 在高频软开关谐振拓扑（如 LLC 谐振转换器）中显示出优于硅 MOSFET 的显着优势。随着开关频率（fsw)，可以减小变压器铁芯尺寸。此外，采用 3-D PCB 结构来提高功率密度。精心设计了 190 瓦、400V

ben111

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光耦的技术参数及其应用 2017-05-08 17:03

光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦。是一种把发光元件和光敏元件封装在同一壳体内，中间通过电→光→电的转换来传输电信号的半导体光电子器件。用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。

h1654155965.3347

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开关电源中的光耦典型电路设计分析 2018-06-24 08:48

TLP521的原边相当于一个发光二极管，原边电流If越大，光强越强，副边三极管的电流Ic越大。副边三极管电流Ic与原边二极管电流If的比值称为光耦的电流放大系数，该系数随温度变化而变化，且受温度影响较大。

kj4N_mouserelec

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光耦的CTR值概念及计算方法 2019-09-20 09:51

光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V（BR）CEO、集电极-发射极饱和压降VCE（sat）。

倩倩

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光耦参数理解 2018-06-04 09:12

槽型光耦也被工程技术人员称作槽型光电开关或者对射式光电开关，也是以光为媒体，由发光体与受光体间的光路遮挡或由反射光的光亮变化为信号，检测物体的位置、有无等的装置。

GReq_mcu168

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什么是光耦的CTR？CTR受那些因素影响 2019-09-20 09:39

CTR表示电流传输比，当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。光耦的CTR的范围大多为20%～300%甚至有的可达600%。

倩倩

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线性光耦与非线性光耦区别 2019-09-20 08:47

开关电源常用的是线性的光耦，与普通光耦合器主要不同的是它的电流传输比CTR不太一样，这是一个非常重要的参数，电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。

倩倩

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