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工程师 协能科技
浙江省 杭州市 学术研究/学生
  • 时钟隔离是另一项重要任务。如果使用1 MHz采样速率的20位高性能ADC,例如LTC2378-20,可以实现104 dB的信噪比(SNR)。
    西西
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  • 电子发烧友网报道(文/李诚)“充电五分钟,通话两小时”这句广告语可能是很多人对快充最开始的认识,在以前很多手机厂商为实现手机长时间续航,只会一味地增加手机电池容量,电池容量的增加,在重量与手机的厚度上都会有一定的增加,和原本发明手机时轻便的宗旨背道而驰,直到2010年,USB BC 1.2的颁布充电器由5V/1A提升到5V/1.5A(最大输出功率:7.5W),开始进入快充时代。   随着手机性能的不断提升,功耗也在变高,用户对提升快充功率的需
    Lee4684
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  • SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
    西西
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  • 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
    电子设计
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