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  • MOS管等效模型 2019-06-19 09:07
    有了以上模型,就好办了,尤其从运放这张图中,可以一眼看出,这就是一个反相积分电路,当输入电阻较大时,开关速度比较缓慢,Cgd这颗积分电容影响不明显,但是当开关速度比较高,而且VDD供电电压比较高,比如310V下,通过Cgd的电流比较大,强的积分很容易引起振荡,这个振荡叫米勒振荡。
    倩倩
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  • 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
    至少
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  • 本文主要介绍了场效应管放大电路图大全(五款场效应管放大电路原理图详解)。该电路中,电池作为直流电源通过负载电阻器R1为场效应管漏极提供偏置电压,使其工作在放大状态。由外接天线接收天空中的各种信号,交流信号通过C1,进入LC谐振电路。LC谐振电路是由磁棒线圈和电容器组成的,谐振电路选频后,经C4耦合至场效应管VT的栅极,与栅极负偏压叠加,加到场效应管栅极上,使场效应管的漏极电流ID相应变化,并在负载电阻器R1上产生压降,经C5隔离直流后输出,在输出端即得到放大了的信号电压。
    ss
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  • 电路中C1和C2分别是输入端耦合电容和输出端耦合电容。电路中的正极性电源通过漏极负载电阻R2,把电压加在了场效应晶体管的漏极,而负极性电源通过栅极偏置电阻R1,把电压加在了场效应晶体管的栅极。
    h1654155282.3538
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  • 场效应管是场效应晶体管的简称,应为缩写为FET。场效应管通常分为两类:1)JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极G、漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。
    倩倩
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  • 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。
    h1654155282.3538
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  • 明确需用的额定电压,或是电子元件能够承载的最高电压。额定电压越大,电子元件的成本就越高。按照实践证明,额定电压应该高于干线电压或总线电压。这样才可以提供足够的保护,使场效应晶体管不会失灵。
    倩倩
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  • 场效应管原理详解 2019-06-19 11:16
     N沟道结型场效应三极管的结构如图1所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极。
    倩倩
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  •  场效应管和BJT三极管虽同为半导体放大器件,却比三极管有很多优点,比如输入电阻很高,对信号源几乎不取电流,这很有利于输入信号的稳定,是作为输入级放大的理想器件,并且还有噪声低,温度稳定性好等优点,常常用于音频放大电路的前置放大器,但由于它是一种电压控制电流器件,由栅源之间的电压控制漏极电流,放大系数低频跨导一般不大,所以放大能力较差。
    倩倩
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  • 场效应管中,导电过程是多数载流子的漂移运动,故称为单极型晶体管;双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。
    姚小熊27
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  • 对于PNP型三极管,C、E极分别为其内部两个PN结的正极,B极为它们共同的负极,而对于NPN型三极管而言,则正好相反:C、E极分别为两个PN结的负极,而B极则为它们共用的正极,根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。
    倩倩
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  •  原件要比晶体管小得多。晶体管就是一个小硅片。但是场效应管的结构要比晶体管的要复杂。场效应管的沟道一般是几个纳米,也就是说场效应管的“硅片”的制作更加复杂而且体积要比晶体管小的多。
    倩倩
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  • 介绍场效应管的分类 2019-08-14 10:46
    本文介绍了场效应管的两种分类。
    h1654155282.3538
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  • 场效应管的注意事项 2019-08-14 15:15
    为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
    h1654155282.3538
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  • 本文主要介绍了场效应管的特点及作用
    h1654155282.3538
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