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  • 二级运算放大器的设计过程及电路仿真 2023-01-30 15:26
    　　运算放大器采用图1所示的电路结构，电路中的电流源均采用共源共栅结构，可以获得较高的共模抑制比和电流复制精度。 其性能指标为增益带宽积GBW=100MHz，负载电容CL=2pF。 本设计采用的工艺库中NMOS的最小沟道长度为0.5μm，PMOS的最小沟道长度为0.55μm。
    Baekhyn0506
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