jf_20816850收藏的文章_工业控制,研究员 - 电子技术论坛

jf_20816850

经验：积分：2

研究员 cfhi

辽宁省大连市丨技术支持

查看完整档案 >>

+关注发私信

文章 5 资料 0 帖子 5 产品 0 方案 0

干货！一文看懂3D NAND Flash 2016-08-11 13:58

目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下句点，加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入，3D NAND大战一触即发。本文详细介绍了3D NAND闪存优势，主要的生产厂商，以及三星、东芝和Intel在这个领域的实力产品。

章鹰

42551次阅读

0条评论
3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM为什么拼不过它 2018-04-19 14:09

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者：（1）比NAND Flash快1000倍；（2）成本只有DRAM的一半；（3）使用寿命是NAND的1000倍；（4）密度是传统存储的10倍；而得益于这些优势，3D Xpoint能被广泛应用在游戏、媒体制作、基因组测序、金融服务交易和个体化治疗等领域。以上只是3D Xpoint的一些应用示例。

电子工程师

51026次阅读

0条评论
深入解析NAND闪存 2018-06-06 12:27

对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块（block），这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位（bit）设置为“1”（而所有字节（byte）设置为 FFh）。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节（byte）。一些NOR闪存能同时执行读写操作（见下图1）。虽然 NAND不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射（shadowing）”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将 BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。

电子工程师

10139次阅读

0条评论
为什么MOS管要并联个二极管有什么作用？mos管并联二极管的作用深度分析 2021-08-02 10:01

原文来自公众号硬件工程师看海加微信[chunhou0820]，拉你进群下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到， MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？很多同学也非常好奇：为什么要并联这个二极管？是否可以删除呢？这要从MOS的工艺和结构说起，不管是MOS还是二极管，都是由半导体材料构成，我们都知道二极管是由一对PN结构成，见下图， P型区对应二极管的阳极，N型区对应

h1654155865.1161

29035次阅读

0条评论
寄存器和存储器的区别 2019-07-22 09:11

存储器范围最大，它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。寄存器，内存，都是存储器里面的一种。凡是有存储能力的硬件，都可以称之为存储器，这是自然，硬盘更加明显了，它归入外存储器行列，由此可见——。

倩倩

15125次阅读

0条评论

ta 的专栏

成就与认可

获得 0 次赞同
获得 5 次收藏

关注

粉丝

搜索历史

成就与认可

站长推荐 /6