发 帖  
经验: 积分:2
研究员 cfhi
辽宁省 大连市 技术支持
  • 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月,先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点,加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入,3D NAND大战一触即发。本文详细介绍了3D NAND闪存优势,主要的生产厂商,以及三星、东芝和Intel在这个领域的实力产品。
    章鹰
    42772次阅读
    0条评论
  • 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以来,最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势,3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者: (1)比NAND Flash快1000倍; (2)成本只有DRAM的一半; (3)使用寿命是NAND的1000倍; (4)密度是传统存储的10倍; 而得益于这些优势,3D Xpoint能被广泛应用在游戏、媒体制作、基因组测序、金融服务交易和个体化治疗等领域。以上只是3D Xpoint的一些应用示例。
    电子工程师
    51069次阅读
    0条评论
  • 深入解析NAND闪存 2018-06-06 12:27
    对于许多消费类音视频产品而言,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND正被证明极具吸引力。 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为 FFh)。有必要通过编程,将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然 NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法,在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年,即将 BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。
    电子工程师
    10156次阅读
    0条评论
  • 原文来自公众号硬件工程师看海 加微信[chunhou0820],拉你进群 下图是NMOS的示意图,从图中红色框内可以看到, MOS在D、S极之间并联了一个二极管,有人说这个二极管是寄生二极管,有人说是体二极管,究竟哪个说法准确呢?很多同学也非常好奇:为什么要并联这个二极管?是否可以删除呢?   这要从MOS的工艺和结构说起,不管是MOS还是二极管,都是由半导体材料构成,我们都知道 二极管是由一对PN结构成 ,见下图, P型区对应二极管的阳极,N型区对应
    h1654155865.1161
    29215次阅读
    0条评论
  • 存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。寄存器,内存,都是存储器里面的一种。凡是有存储能力的硬件,都可以称之为存储器,这是自然,硬盘更加明显了,它归入外存储器行列,由此可见——。
    倩倩
    15190次阅读
    0条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 0 次赞同

    获得 5 次收藏
关闭

站长推荐 上一条 /7 下一条

返回顶部