本篇主要针对CMOS电平,详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。 Latch up是指CMOS晶片中,在电源VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流; 随着IC制造工艺的发展,封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来