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Mike_He
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  • 收藏了文章 2024-8-22 16:47

    BJT的结构简介及工作原理解析
    因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。 同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。 但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。...
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    BJT的结构简介及工作原理解析
    因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。 同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。 但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。...
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  • 收藏了文章 2024-8-22 16:46

    为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件？它们有何区别和联系？
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。...
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    为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件？它们有何区别和联系？
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极性三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。...
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  • 关注了版块 2022-2-25 23:55

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