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研发人员 重庆川仪股份
重庆 渝北 设计开发工程师
  • Part 01 前言 上一篇文章我们介绍了MOSFET的体二极管,我们知道了MOSFET体二极管在MOSFET中是广泛存在的,并且MOSFET经过了几十年的工艺革新,在目前应用比较广泛的沟道MOSFET中也没能完全解决这个问题,既然无法避免,那我们要考虑的是了解它,应用它。关于MOSFET的体二极管,datasheet一般会给出以下几个参数,体二极管连续正向电流,体二极管脉冲电流,体二极管正向电压,体二极管反向恢复时间,体二极管反向恢复电荷这几个参数。今天就详细讲解一下
    叫我大表哥吧
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  • 本文要点芯片制造商必须平衡集成电路的许多设计参数(有时这些参数会相互冲突)。不同器件封装类型之间的主要区别在于将封装焊接到电路板上的方式。设计人员可能会遇到的一些常见封装类型。电子产品的形状和尺寸多种多样,用于实现其功能的器件也是如此。起初,设计人员可能无法独自区分产品规格单上的不同器件封装类型,尤其是在参数没有区别的情况下。很容易在不知情的情况下购买过大、
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