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研发类 上海某电器公司
上海市 黄浦区 技术支持
  • 多年以来,开关电源转换已成为现代电子技术的支柱,横跨包括公共事业、工业、商业以及消费市场的多个领域。在低功率DC/DC转换应用中,大多数现代功率转换都是通过三种不同类型的功率转换器完成的:升压、降压和升降压转换器。本文将研究每种转换器的基本原理并探讨实际应用。
    Baekhyn0506
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  • 常用的功率开关有晶闸管、IGBT、场效应管等。其中,晶闸管(可控硅)的开关频率最低约1000次/秒左右,一般不适用于高频工作的开关电路。
    h1654155282.3538
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  • 你肯定会相信阻抗不匹配影响PCB性能;你会相信等长做得不好影响DDR的时序;你也会相信PCB太长的话高速信号会有问题;但是如果我们告诉你总有一天BGA芯片里面不能穿差分线的话,你会相信吗?  所谓BGA,也就是学名为球栅阵列封装的芯片,是芯片封装界发展到今天为止算是集成度最高的封装技术了哈。小则几百pin,多则几千pin都密密麻麻的按照一定的pitch间距进行排列,我们目前常用的pitch为1.2mm,1mm,0.8mm这些。 那么说到密集,大家肯定都有过这样
    电子设计
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  • IGBT是电压控制型器件,它只有开关特性(通和断两种状态),没有放大特性。由IGBT等效电路可知,它是以晶体管为主导元件,以MOS管为驱动元件的达林顿结构。
    h1654155282.3538
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  • 在IGBT的应用中,当外部负载发生故障,或者栅极驱动信号出现异常,或者某个IGBT或二极管突然失效,均可能引起IGBT短路,表现为桥臂内短路、相同短路及接地短路,由于IGBT在短路状态下需要同时承受高压和大电流,并且需要维持一定的时间,因此如果发生了IGBT的短路失效而不能及时有效地控制,将会进一步损坏散热器、电极母线、与之近邻的IGBT及栅极驱动等,造成很大的损失。因此,IGBT的短路能力是一中很重要的参数,影响着IGBT及其系统装置的可靠性。
    h1654155282.3538
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  • 直流电动机测试电源要根据直流电动机的试验要求进行调压试验、轻载试验、负载试验和过载试验,还要进行动态过程试验等。这就要求其具有连续调压、过流功能,并要求响应速度快。
    lhl545545
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  • 在此根据长期使用IGBT的经验并参考有关文献对 IGBT驱动的电压和功率做了一些总结,希望对广大网友能够提供帮助。
    姚小熊27
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  • 绝缘门极双极型晶体管是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好、驱动电路简单、饱和压降低、耐压高和承受电流大等优点,因此现今应用相当广泛。但是IGBT良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理,制约着IGBT的推广及应用。本文分析了IGBT对其栅极驱动电路的要求,设计了一种适用于高频条件下小功率电路可靠稳定的分立式IGBT驱动电路。
    电子工程师
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  • IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)相结合的产物。
    h1654155282.3538
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  • IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作,同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要
    相处
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  • 常见igbt驱动芯片型号 2018-02-23 08:48
    在一般较低性能的三相电压源逆变器中,各种与电流相关的性能控制,通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可,如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时,这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能
    倩倩
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  • Infineon公司是出界上著名的半导体生产商,其生产的“EUPEC”IGHT在世界范围内占有很大部分份额。其配套生产的EiceDriver系列IGBT驱动器也在工业领域广泛应用。对于大功率IGBT驱动保护,Infineon于2003年推出2ED300C17-S/ST驱动器,它可以驱动3600A、1700V以下两单元IGBT模块。
    h1654155282.3538
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  • IGBT及驱动电路的保护 2019-10-07 14:48
    IGBT集-射极之间的瞬时过压会对IGBT造成损坏,笔者采用箝位式吸收电路对瞬时过电压进行抑制。
    h1654155282.3538
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  • IGBT的驱动电路必须具备两种功能:一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离;二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
    h1654155282.3538
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  • igbt并联均流 2017-11-09 15:19
    GBT 是三端器件,芯片内部结构包含有栅极、集电极和发射极,等效电路如图2-1所示,在IGBT的栅极G和发射极E之间加+15V标准电压,则IGBT导通,如果集电极有上拉电阻,集电极和发射极电压将会变为0.2V,即集电极与发射极之间由于门极加入正电压而成低阻状态使得IGBT 饱和导通; 若在IGBT 的栅极G 和发射极E 之间加入-15V 则IGBT 反向截止,加入负压而不是OV 的目的是使IGBT 可快速而可靠的关断,对IGBT 实际应用有重要意义。
    倩倩
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