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  • Everspin公司在磁存储器设计制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权,在平面和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面均...
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  • 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加,以增加并潜在地替代传统的易失性存储器,新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力。 ...
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  • 正确的同步静态随机存取存储器(SRAM)的选择对于带宽要求更高,系统性能更好的网络应用至关重要。系统设计人员需要了解不同同步SRAM技术的特性和优势,以便为其应用选择正确的存储器。 决定正确的同步SRAM选择的一些关键因...
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  • Everspin在磁存储器设计,制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权,在平面和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面均处于市...
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  • 在所有常年兴起的记忆中,MRAM似乎最有可能濒临大规模,广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。 MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点,在更多应用中它比以...
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  • 在当今的消费电子市场中,设计师面对6个月的设计窗口以在12个月的时间内实现生产并不少见。这些消费者细分市场中的设计师面临的问题之一是,营销人员根本不知道哪些功能将成为赢家。至于消费者领域,急剧变化的功能集比性能要有价值得...
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  • SRAM是可在任何CMOS工艺中免费获得的存储器。自CMOS诞生以来,SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的深度学习领域专用域结构(DSA),每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位...
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  • 最近出现的许多内存问题都以3D Xpoint的形式出现在ReRAM,MRAM和PCRAM上。但是铁电RAM(FRAM)在小型利基设备中得到了成功。 去年对新兴内存年报,吹捧的ReRAM,MRAM和PCRAM的三个关键新兴...
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  • 普通的存储器器件为单端口,也就是数据的输入输出只利用一个端口,设计了两个输入输出端口的就是双端口sram。虽然还具有扩展系列的4端口sram,但双端口sram已经非常不错了。双端口sram经常应用于cpu与其周边控制器等...
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  • ISSI IS62WV102416DALL,IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit静态RAM,组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计...
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  • IoT物联网生态的逐步成熟和汽车的电子智能化,并且成为了MCU发展的双擎。以这两种应用为核心,结合5G和人工智能等新技术,单片机正迅速渗透到各个细分领域。在国内市场,国内的单片机已经开始了激烈的追逐。 上海灵动微电子学作...
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  • 并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,明显改变消费者使用电子...
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  • MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备;在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进行良好的MTJ设计和测...
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  • GlobalFoundries(格罗方德半导体有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平台上为物联网和汽车应用交付了首个可投入生产的eMRAM。并表示其先进的eMRAM为低功耗,非易失性代码和数据存储应用提供了一种经济高...
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  • 存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM),两者的功能有较大...
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