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  • 嵌入式内存测试和修复的挑战是众所周知的,包括最大程度地扩大故障覆盖范围以防止测试失败以及使用备用元件来最大程度地提高制造良率。随着有前途的非易失性存储器架构的可用性不断增加,以增加并潜在地替代传统的易失性存储器,新的So...
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  • 一种称为Universal Selector的新创新技术,它将显着提高现有和新兴存储技术(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管,以实现更高水平的性能和可靠性和密度。 自...
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  • 尽管具有规模经济性,但其他类型的存储器仍具有AI应用程序的未来可能性。 MRAM通过受外加电压控制的磁体的方向存储数据的每一位。如果电压低于翻转位所需的电压,则只有位翻转的可能性。这种随机性是不希望有的,因此可以用更高的...
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  • FRAM架构采用铁电材料作为存储器件,这些材料具有一个固有的电偶极子,该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM中的读取操作具有破坏性,因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后,读取操作必须将极化恢...
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  • 写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间,以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时,会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按...
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  • 从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM(SDRAM)和减少延迟的DRAM(RLDRAM)。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展,约为48ns,这与21MT/s的RTR相关。其他基于DRAM...
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  • 电池管理系统(BMS)是一个电子控制系统,它监控并控制着电动和混合动力汽车的电池系统。该单元的主要功能是保护每块电池免受损坏,延长它们的使用寿命,并为车辆提供实时电源分配。 BMS单独监控每块电池的操作参数。这些参数包括...
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  • 这些年来,汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元(ECU)。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所面对的问题是高度复杂性和大量资源的要求。 汽车电子子系统概述 汽车电子子系统被划分为即独立...
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  • 在过去的几十年中,SRAM领域已划分为两个不同的产品系列-快速和低功耗,每个产品都有自己的功能,应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性,但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备,以...
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  • 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SR...
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  • MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓非易失性是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而随机存取是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM...
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  • 经过超过八年的MRAM研发,Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置(图1),并具有异步设计,带有标准的芯片,写入和输出使能引脚。Everspin代理宇芯电...
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  • 非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂,在高级节点上的价格和速度,功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷,以决定该存储器的放置位置。 NVM可以嵌入到芯片中,也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个...
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  • 尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统,但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。本文存储芯片供应商宇芯...
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  • 本篇文章存储芯片供应商宇芯电子要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。 首先,我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1A,写入时间为5 ms,写入...
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