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  • MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈,阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-M...
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  • MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ ),而后者则是电荷。 每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化...
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  • 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。 MRAM替代SRAM做L2高...
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  • 随着半导体工艺技术的不断进步,芯片工艺制程的不断演进和成本的不断降低,半导体芯片广泛应用在物联网、个人终端、汽车电子、可穿戴设备、工业互联网等各个领域。 随着芯片工艺的逐步升级,性能问题已不在是芯片设计环节的主要瓶颈,如...
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  • Nand flash是flash存储器的其中一种,Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快等优点适用于大量数据的...
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  • 1.1接口差别 NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND Flash器件使用...
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  • SDRAM存储器读写速度较高,其单位容量的功耗较低,广泛应用在许多工程项目中,特别在雷达、图像处理等需要高速度、大容量的数据存储领域,SDRAM存储器有着广泛的应用价值。而单片SDRAM存储器一般是直接焊接在电路板上,而...
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  • 新型的存储器既具有RAM的优点,又有非失易失性特征,同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特...
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  • 内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少,但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的,一旦没有持续的电力,所存储的数据就会立即消失,这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才...
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  • NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据,而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。 因此将比较它需要多长时间来擦除64Kb数据及写入新数据。最后必须知道制造商提到...
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  • SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源(如电池)供电时,他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。 表1非易失性存储器比较 NVSRAM中的电池对于数据...
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  • PSRAM是一种存储技术,它通过DRAM单元来实现高密度存储并降低每存储位成本。PSRAM带有异步SRAM外部接口,可实现高效的系统设计。COSMORAM协议包括关于猝发模式PSRAM用户接口的通用规范以及封装PSRAM...
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  • 对于特定的产品设计,关于铁电RAM为何比串行SRAM更好,有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。 优越的频率和带宽 传统和ULE FRAM都比串行SRAM支持更高的SPI时钟频率。ULE FRAM支持DD...
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  • 尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途,但是随着SPI等标准接口的出现,这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性,这为设计中替换串行SRAM提供了主要动力。 SRAM和...
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  • 国产替代成为独特的宣传标语。可以发现展会现场以及多家厂商展位上出现国产替代、国产MCU、打造国人自己的MCU等字眼。那目前MCU的国产替代现状如何? 目前国产MCU正在逐步实现中低端领域的进口替代,相对于以往基本都是国外...
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