发 帖  
经验: 积分:22
PIE 华力微
上海市 浦东新区 技术支持
  • 22nm平面工艺流程介绍 2023-11-28 10:45
    今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。
    jf_BPGiaoE5
    12698次阅读
    0条评论
  • 在集成电路领域中,深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD(Criticlal Dimension)的比值。CD是IC制造中的一个重要指标,通常与刻蚀的特征图形的尺寸相关联,包括有浅槽隔离的间隙、晶体管的沟道长度、金属互联线的宽度等。随着高密度集成电路特征尺寸的不断减小,对于高深宽比的间隙进行均匀、无空洞,填充淀积工艺显得至关重要。
    b8oT_TruthSemiG
    2346次阅读
    0条评论
  • 虽然芯片制造商正在推进技术的发展,但是在前道工序(front-end-of-line :FEOL)中微缩晶体管,以及在中间工序(Middle-of-line:MOL)和后道工序(back-end-of-line:BEOL)中改进触点和连线则变得越来越困难。
    i2et_wc_ysj
    27709次阅读
    0条评论
  • 在N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子;在P型半导体中,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
    西西
    22349次阅读
    3条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 0 次赞同

    获得 4 次收藏
关闭

站长推荐 上一条 /6 下一条

返回顶部