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硬件工程师 如意郎君
江苏 苏州 设计开发工程师
  • 通常采用MOSFET饱和的短路电流,使用单脉冲持续的时间来评估功率MOSFET抗短路冲击的性能。从图3的应用测试波形可以看到,在短路过程中,发生了连续多个短脉冲的冲击,每个短脉冲持续时间为2uS,满足器件单脉冲测试规范,但是器件最后还是发生损坏。
    h1654155971.7688
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