发 帖  
经验: 积分:111
工程师 华为
北京市 东城区 设计开发工程
  • 为了理解IGBT进入退饱和的过程机理,我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别:简单来看,IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子,这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制,从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子(电子和空穴),从而控制IGBT的导通和关断。
    Baekhyn0506
    17668次阅读
    0条评论
ta 的专栏

成就与认可

  • 获得 0 次赞同

    获得 1 次收藏
关闭

站长推荐 上一条 /7 下一条

返回顶部