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IGBT模块驱动及保护技术 2009-07-15 07:57

IGBT模块驱动及保护技术摘要：对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过

电子工程师

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IGBT模块的一种驱动设计 2009-04-09 08:40

IGBT模块的一种驱动设计 1 引言近年来，新型功率开关器件IGBT已逐渐被人们所认识。与以前

电子工程师

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igbt真空回流焊空洞问题 2024-01-09 14:07

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极性晶体管）被广泛应用于高压和高频率的功率电子领域，例如电力传输、工业驱动、计算机电源等。然而，在IGBT的生产过程中，可能会出现空洞问题，这不仅影响了组装质量，还可能导致设备故障和电路损坏。因此，解决IGBT真空回流焊空洞问题对于提高产品性能和可靠性至关重要。首先，我们需要了解IGBT真空回流焊空洞问题的原因。空洞通常是由于焊接过程中发生的气体嵌入导致的。空气中的气体在高温下

对面小姐姐

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双脉冲测试之开关特性参数讲解 2023-02-22 14:40

功率开关器件的规格书上有着多种多样的数据，如静态特性参数，动态特性参数，开关特性参数等等。其中静态特性参数大多数可以通过静态参数一体化测试机或者源表等设备直接测出，动态特性参数则可以通过电容测试平台描绘出，最后开关特性参数则需要用到双脉冲测试才能准确测得。

1673264090

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MOSFET漏极导通特性与开关过程简析 2023-12-04 16:00

本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。

冬至子

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MOS管的导通和关断过程 2023-03-26 16:15

最近一直在说MOS管的知识，就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。

Baekhyn0506

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关于MOS管、IGBT米勒平台的分析 2023-11-03 14:55

米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢

冬至子

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什么是IGBT？IGBT的工作原理 2023-12-18 09:40

IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

1753782447

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IGBT双脉冲测试的实测原理及电路拓扑结构 2023-11-24 16:16

通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的datasheet，数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数条件测试得来的，而实际应用中的外部参数都是个性化的，往往会有所不同，因此这些参数有些是不能直接拿来使用的。

冬至子

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IGBT工作时序及门极驱动计算方法 2023-12-21 13:48

本篇文章简单介绍IGBT工作时序及门极驱动计算方法，引入大电流驱动IC以及门极保护TVS，同时罗列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驱动电压，借此介绍非对称TVS新产品的实用性，欢迎感兴趣人士交流、沟通。

tJN7_Littelfuse

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双脉冲开关的特性是什么，IGBT开通和关断过程描述 2021-05-06 10:06

在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。

h1654155282.3538

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IGBT的工作原理和退饱和 IGBT的电感短路和直通短路 2023-01-17 13:59

为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+层提供空穴载流子，这样可以和漏极N+区域的电子在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空穴），从而控制IGBT的导通和关断。

Baekhyn0506

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