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西门子与SPIL合作为扇出型晶圆级封装打造3D验证工作流程
2023-6-20 14:16

为了满足市场对于高性能、低功耗、小尺寸IC的上扬需求，IC设计的封装技术也变得日益复杂，2.5D和3D配置等技术应运而生。这些技术将一个或多个具有不同功能的IC与增加的I/O和电路密度相结合，因此需要创建并查看多个装配和...

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西门子Calibre平台通过N3E工艺认证
2023-5-16 11:30

西门子数字化工业软件日前在台积电2023北美技术论坛上宣布一系列最新工艺认证。作为台积电的长期合作伙伴，此次认证是双方精诚合作的关键成就，将进一步实现西门子EDA技术对台积电最新制程的全面支持。...

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使用硬件加速仿真进行有意义的功耗分析
2023-4-4 14:11

功耗分析和优化在最近几年逐渐引起了人们的重视，大多数 IC 设计团队现在都会为了功耗管理在自己的流程中纳入功率管理步骤和工具。尽管如此，功耗分析任务往往要基于验证场景，而这些场景过于基础，并且与实际系统使用完全脱节。...

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各种类型CDC路径中的毛刺问题
2023-3-30 11:03

CDC 验证不仅在 RTL 有必要，在门级也必不可少。在 RTL，重点是通过识别 CDC 结构和方案来确定时钟域和 CDC 路径。...

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适用于汽车市场的IC测试解决方案
2023-3-30 10:42

乘用车中的电子部分持续快速增长，驱动这一现象的主要因素是乘用车中集成了各种先进安全功能。整个行业向全自动驾驶汽车的转变有望进一步增加此类安全功能的数量，进而增加电子部分的比重。最近有报告表明，高端汽车中目前集成了成百上千...

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易于实现且全面的3D堆叠裸片器件测试方法
2023-2-28 11:39

当裸片尺寸无法继续扩大时，开发者开始考虑投入对 3D 堆叠裸片方法的研究。考虑用于 3D 封装的高端器件已经将当前的可测试性设计 (DFT) 解决方案推向了极限。...

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在IC验证的产品级工程中使用机器学习ML方法
2023-2-28 11:36

由于半导体设计的复杂性、规模和任务关键型操作的增加，集成电路验证要求也随之大幅扩展。...

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一个典型设计的DFT组件
2022-11-30 10:15

在本篇白皮书中，我们介绍了一个典型设计的 DFT 组件，并提出了多种可大幅改善 DFT 项目进度的智能 DFT 方法。我们展示了如何将结构化 DFT 和即插即用原则用于 DFT 基础结构，来支持与其他设计开发工作相似的并...

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人工智能“入侵”芯片制造
2022-11-25 14:50

现在几乎所有的应用包括5G、物联网、汽车、数据中心等的实现与发展都建立在更高性能、更低功耗、更大算力的芯片的基础之上。芯片的需求大幅提升，而芯片的供应却跟不上需求，提升现有产品的良率是业内公认的有效措施。...

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FMEDA（失效模式影响和诊断分析）安全机制的插入和验证
2022-11-18 16:02

FMEDA（失效模式影响和诊断分析）利用一系列安全机制来评估安全架构，并计算系统的安全性能。ISO 26262 规范第 5 部分规定，硬件架构需要根据故障处理要求进行评估。它要求通过一套客观的指标对随机硬件失效的概率进行...

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西门子推出Tessent Multi-die软件解决方案满足多维设计的需求
2022-10-25 10:38

西门子数字化工业软件近日推出 Tessent Multi-die 软件解决方案，旨在帮助客户加快和简化基于 2.5D 和 3D 架构的下一代集成电路（IC）关键可测试性设计（DFT）。...

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西门子与联华电子合作帮助客户加快其集成产品设计的上市时间
2022-9-30 11:59

西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子（UMC）合作，面向联华电子的晶圆堆叠（wafer-on-wafer）和芯片晶圆堆叠（chip-on-wafer）技术，提供新的多芯片 3D IC （三维集...

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在流片前验证中如何测量功耗执行功耗分析的步骤是什么
2022-8-23 11:16

一般来说，功耗测量是在门级进行，通过由回归向量组成的验证平台执行 DUT，然后跟踪 DUT 的开关活动来完成。该方法有两个问题。...

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西门子EDA助力数字化创新赋能产业可持续发展
2022-7-28 14:13

伴随5G、汽车电子、人工智能及物联网等技术的不断发展，全球半导体产业需求也保持持续增长态势，根据半导体行业权威机构世界半导体贸易统计协会（WSTS）发布的数据，2022年全球半导体市场预计增长16.3%。...

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十种常见的器件噪声分析错误
2021-10-19 09:56

器件噪声的影响在纳米级 CMOS 工艺中极为关键，因为它在根本上制约了许多 45 nm 及以下工艺电路的性能。使用正确的工具，器件噪声分析（DNA）将是一个相当简单的过程，并且仿真结果与硅片测量结果只有 1 - 2 d...

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