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lC49_半导体

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回顾中国芯片间谍丑闻，吸取教训
2019-8-30 08:53

据称，这些间谍芯片并不属于原有主板的设计，而是代工厂老板被胁迫或被贿赂更改了蓝图后秘密添加上去的。我们被告知，这些监视芯片包含足够的内存与处理能力，可以有效地在主机系统上留下（硬件）后门，这样外面的特工就可以——比方说，...

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寻找硅以外的半导体材料的方法和探索
2019-8-30 08:36

近年来，DARPA率先利用所谓的相变材料来制造RF开关，这种开关通过材料晶体结构的转换来操作，而不是通过传统的晶体管动作。这种大规模转换到另一种物理基础和用于数字切换的材料，让太赫兹频段的RF开关的演示成为可能，太赫兹频...

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回顾DARPA与摩尔定律交织的历史分析
2019-8-29 17:54

摩尔定律带来的收益并没有保证，而是通过商业界、学术界和政府之间的独创性和密切合作实现的。如今，集成电路设计成本的不断上升、外国投资的不断增加，以及硬件的商品化威胁着一个富于创新且充满活力的国内微电子产业的未来的健康发展。...

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回顾2018全国集成电路产业扶持政策汇总介绍
2019-8-29 17:36

对采用多项目晶圆（MPW）进行产品研发的企业，按MPW直接费用的70%（高校或科研院所按80%）和工程片试流片加工费的30%给予补助，单一企业年度最高限额250万元；对利用晋华集成电路生产线流片的企业，按首次工程流片费用...

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关于NAND Flash与NOR Flash的异同分析
2019-8-29 17:26

在NOR和NAND闪存中，存储器被组织成擦除块。该架构有助于在保持性能的同时保持较低的成本，例如，较小的块尺寸可以实现更快的擦除周期。然而，较小块的缺点是芯片面积和存储器成本增加。由于每比特成本较低，与NOR闪存相比，N...

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关于苹果A12芯片的性能分析
2019-8-29 17:19

即使在这个高功率数字下，A12的效率也超过了其他所有SoC。虽然这颇为有趣，但强调苹果的节流特性是非常重要的。在仅仅3分钟或3个基准测试运行后，手机将节流约25％，达到我在效率表中所说的“温暖”状态。功率达到合理的3.7...

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分析电源管理IP如何显著提升SoC能效的方法
2019-8-29 16:53

由于RAM的电流保持与电压成比例，因此将始终接通电源域的操作尽可能接近RAM（MDRV）的最小数据保持电压，可确保SoC睡眠模式下的最低功耗。我们的稳压器库包括一个超低静态电压调节器，其可编程输出电压低至0.6 V，其参...

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分析首颗7纳米Arm服务器芯片性能分析和应用
2019-8-29 16:44

在2016年，中国十二五科技创新成就展上，华为展出了其第一台ARM平台服务器“泰山”(Taishan)，配备自主研发ARM架构64位处理器“Hi1612”，采用台积电16nm工艺打造，兼容ARMv8-A指令集。华为方面表...

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关于智能MCU的性能分析介绍
2019-8-29 16:33

根据半导体行业的传统，从头设计一套新的自有指令集往往是吃力而不讨好，因为指令集的设计、验证、可扩展性考虑等等往往不是一个团队就能完成的，而是需要大量人长时间的努力。然而，最近随着RISC-V开源指令集得到越来越多的认可。...

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回顾全球半导体设备供应商分析介绍
2019-8-29 16:23

ASMP于1975年在香港成立，1989年在香港上市，目前总部在新加坡，此前53.1％的股份由ASM International N. V. 所持有。ASMP生产芯片组装和包装机械，称为后端设备，是全球首个为半导体封装及...

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关于华为AI芯片的性能分析和介绍
2019-8-29 16:16

从公司基因来看，Google是一家技术驱动的互联网公司，Nvidia是芯片硬件公司，而华为则是设备提供商。Google一切业务的源头都是互联网，因此也希望把一切新扩展的业务规划到互联网的范畴中。Google属于第一批看到...

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关于5nm以后的晶体管选择的方法分析
2019-8-29 15:58

化合物半导体的主要问题是硅和III-V半导体之间的大的晶格（lattice）失配，导致晶体管沟道的缺陷。有一家公司开发了一种含有V形沟槽的FinFET进入硅衬底。这些沟槽充满铟镓砷并形成晶体管的鳍片。沟槽底部填充磷化铟以...

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关于Gen-Z的性能和原理分析
2019-8-29 15:45

在计算系统的这种特定实现中，PCI Express被用来连接CPU内存、GPU / FPGA内存和高性能/低延迟存储器。SSD阵列通过主机总线适配器或NIC连接，使用光纤通道、Infiniband、NVMe-oF或以太网...

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关于功率半导体GaO性能分析和介绍
2019-8-29 15:36

电子工业正在尽可能地将硅最大化应用，但其毕竟还是有局限的，这就是为什么研究人员正在探索其它材料，如碳化硅，氮化镓和氧化镓。虽然氧化镓的导热性能较差，但其带隙（约4.8电子伏特或eV）超过碳化硅（约3.4eV），氮化镓（约...

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关于5G对无线通讯芯片产业链分析和介绍
2019-8-29 15:28

氮化镓器件的制造有两种衬底方式，一种是GaN-on-SiC工艺，由Qorvo和其他大多数厂商采用，占比95%以上;另一种是GaN-on-Si，由Macom(子公司Nitronex)采用。在LED产业链中，GaN也有选择蓝...

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