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广东省 潮州市 设计开发工程
  • CMOS(cornplementary MOS)由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET所组成.CMoS逻辑成为目前集成电路设计最常用技术的缘由,在于其有低功率损耗以及较佳的噪声抑止才干.事实上,由于低功率损耗的需求,目前仅有CMOS技术被运用于ULSI的制造. CMOS反相器 如图6. 28所示, CMOS反相器 为CMOS逻辑电路的基本单元.在CMOS反相器中,p与n沟道晶体管的栅极衔接在一同,并作为此反相器的输入端,而此二晶体管的漏极也连接在一同,并作为反相器的输出端.n沟道MOSFET的源极与衬底
    电子设计
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