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SzDR_gh_

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他的动态

发布了文章 2024-11-5 11:54

高多层板的生产工艺

在工作中，硬件工程师设计得最多的应该是2层板和4层板，提到多层板，兄弟们想必脑子里面想到的是这几个词：高端，复杂，贵，周期长。咱们作为搞技术的，应该都想挑战下高多层板，不过大多数情况下，可能身不由己，如果公司的产品原本就没有高多层板的需求...

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发布了文章 2024-7-22 09:14

没有接地的产品，ESD放电测试时地回路是怎样的？

之前的文章“如何理解虚无缥缈的ESD”，里面有用到仿真电路，有个兄弟提了个好问题：静电枪的地和产品的工作地不是一个吧，为什么仿真计算的时候要接到一起呢？...

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发布了文章 2024-3-26 09:37

FPC设计避坑指南

软板采用的是覆盖膜作为阻焊层，覆盖膜需要先开窗，再贴合，焊盘到线需要有0.2mm的间距，且阻焊桥要有0.5mm以上，即两焊盘间距要有0.5mm以上才能保桥，否则只能建议客户开通窗，接受露线制作。...

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发布了文章 2024-3-18 09:02

MOS管的安全工作区SOA详解—如何判断一个MOS管是否工作在SOA区？

测量MOS管的电压和电流波形，判断电压和电流是否超标...

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发布了文章 2024-3-11 09:16

什么是MOS管的SOA区？SOA曲线的几条限制线的意思？

SOA区指的是MOSFET的安全工作区，其英文单词是Safe Operating Area。也有一些厂家叫ASO区，其英文单词是Area of Safe Opration，总之，两者是一个意思，下面我们统一称为SOA区...

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发布了文章 2024-2-26 09:31

PMOS开关电路故障排查与常见问题分析

当控制信号PWR_EN为高时，三极管Q1导通，R2下端等于接GND。由于R1和R2的分压作用，MOS管M1的Vgs会有压差Vgs=-Vin*R1/(R 1+R2)，即M1最终会导通。...

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发布了文章 2023-2-20 09:25

MOSFET栅极驱动电路应用说明

最近看到一个东芝的MOSFET的文档，看了下，还不错，就把内容复制出来了，分享给大家看下。...

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发布了文章 2023-2-13 10:57

详解运放的偏置电流Ib与失调电流Ios

我们前面说过，理想运放的同相端和反相端的输入电流为0，所以才有“虚断”的说法，但是实际运放的输入管脚都会流入或流出少量的电流，并且经常同相端的电流和反相端的电流还不相等。...

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发布了文章 2023-2-1 10:35

运放的失调电压Vos的理解与仿真验证

我们知道，运放有非常多的参数，这些参数的意思，我们大抵都可以从网上查到。作为过来人，我觉得仅仅了解字面的意思是远远不够的。所以我从这一节，开始说一说运放的参数，先从运放的失调电压说起吧。...

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发布了文章 2023-1-29 15:03

放大器的电阻的选择

如下图：如果我们把运放当作理想的，那么放大电路的增益就是两个电阻的比值，如果要让增益等于2，那么R1和R2分别是2K，1K能达到目的，20K，10K也能达到目的，200K，100K也能达到目的，2Ω，1Ω看着也能达到目的，那么这些阻值都是可...

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发布了文章 2022-12-14 09:38

理想运放与虚断虚短的来源

今天开始，聊一聊运放吧，之前很多兄弟们也提了这个要求。正好我最近也想深入看看运放方面的，那么就借这个机会一步一步再搞一搞吧。...

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发布了文章 2022-12-6 10:31

创龙 TL6678ZH-EVM开发板案例解析

TL6678ZH-EVM开发板基于TI KeyStone架构C6000系列TMS320C6678八核C66x定点/浮点DSP，以及Xilinx Zynq-7000系列XC7Z045/XC7Z100 SoC处理器设计。...

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发布了文章 2022-12-5 09:24

关于放大器单位增益稳定运放的的问题解析

因为决定稳定性的只是环路增益AOL*β。同相反相放大，它的β都是一样的，即Rg/（Rg+Rf）。对数之后，则为log10（aol）-log10（1/β）。...

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发布了文章 2022-11-23 09:11

欧姆定律的诞生

现如今欧姆定律是任何电类学科同学再熟悉不过的理论了，但它的诞生以及被科学界所接纳的背后曲折故事，被 Kathy 通过生动的语言描述的令人着迷，下面让我们听听她的讲述吧。...

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发布了文章 2022-11-7 09:37

开关电源：关于TL431电路的电阻取值

TL431工作前提条件 TL431工作主要有下面几点要求（以Ti的TL431C为例）： 1、Vka＞2.5V，Vka<36V 2、Ika>1mA，Ika<100mA，Iled<50mA 3、I分压电阻电流&g...

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