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芯片内部设计原理和结构（DC/DC降压电源芯片为例） 2018-02-21 08:40

本文将以DC/DC降压电源芯片为例详细解说一颗电源芯片的内部设计，它和板级的线路设计有何异同？芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，值为1.2V左右。同时开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管。

西西

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磁芯损耗的经典计算方法与影响因素分析 2017-12-21 08:53

磁性元件是开关电源设备中的重要元件，它对开关电源设备的体积、效率有很大影响。在高频下，磁性元件损耗占整机的比重很大。因此对磁性元件的损耗进行相关研究是十分重要的。磁芯损耗与磁性材料特性和工作频率等密切相关。在交流磁化过程中，磁芯损耗功率(Pv)由磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)和剩余损耗(Pc)组成。磁滞损耗(Ph)是磁性材料在磁化过程中，磁畴要克服磁畴壁的摩擦而损失的能量，这部分损失最终使磁芯发热而消耗掉。单位体积磁芯损耗的能量正比于磁滞回线包围的面积。每磁化一个周期，就要损耗与磁滞回线包围面积成正比的能量，所以可以得出：磁滞曲线面积越小，磁滞损耗就越小；频率越高，损耗功率越大。涡流损耗(Pe)是因磁芯材料的电阻率不是无限大，有一定的电阻值，在高频时还是会由于激磁磁场在磁芯中产生涡流而

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