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  • 发布了文章 2024-4-2 11:05
    随着晶体管尺寸的逐步缩小,其特征尺寸也在不断缩小,当特征尺寸到了22nm,平面晶体管由于其栅极对于沟道的控制能力较弱而出现短沟道效应,逐渐被一种新型的晶体管所取代,即鳍式场效应晶体管(Fin FET)。...
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  • 发布了文章 2024-4-1 12:47
    分凝吸杂由杂质的溶解度梯度或硅片不同区域对杂质的溶解能力不同产生。与释放机制不同,分凝吸杂,吸杂区一般都在器件区的外边。...
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  • 发布了文章 2024-4-1 10:26
    在3D NAND的制造过程中,一般会有3个工序会用到干法蚀刻,即:台阶蚀刻,channel蚀刻以及接触孔蚀刻。...
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  • 发布了文章 2024-3-31 16:25
    在紫外光照射下,三芳基碘盐光敏剂被激活,释放活性碘离子。这些活性碘离子与SU-8光刻胶中的丙烯酸酯单体反应,引发单体之间的交联反应,导致SU-8光刻胶在曝光区域形成凝胶化的图案。...
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  • 发布了文章 2024-3-29 11:36
    拉曼光谱是一种功能强大且用途广泛的分析技术,用于研究分子和材料样品。该技术基于光的非弹性散射,也称为拉曼散射,可以识别和定量样品中的化学键。...
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  • 发布了文章 2024-3-29 11:35
    一个完整的电路设计中必然包含前仿真和后仿真两个部分,它们都属于芯片验证中的关键环节。...
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  • 发布了文章 2024-3-29 11:25
    芯片制造是当今世界最为复杂的工艺过程。这是一个由众多顶尖企业共同完成的一个复杂过程。本文努力将这一工艺过程做一个汇总,对这个复杂的过程有一个全面而概括的描述。...
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  • 发布了文章 2024-3-28 13:54
    1864年左右,苏格兰物理学家詹姆斯·克拉克·麦克斯韦(James Clerk Maxwell)提出了无线电理论。...
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  • 发布了文章 2024-3-27 11:12
    在整个半导体制造过程中,微粒污染、静电放电损坏以及与此相关联的设备停机,是静电带来的三大问题。...
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  • 发布了文章 2024-3-27 11:09
    根据晶体凝固生长与位错形成、运动与增殖的理论,多晶硅锭中位错存在两种来源:原生和增殖。...
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  • 发布了文章 2024-3-27 10:49
    刻蚀过程中形成几乎完全垂直于晶圆表面的侧壁,是一种各向异性的刻蚀。刻蚀后的侧壁非常垂直,底部平坦。这是理想的刻蚀形态,它能够非常精确地复制掩膜上的图案。...
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  • 发布了文章 2024-3-26 10:19
    随着芯片特征尺寸的不断减小,传统的平面MOSFET由于短沟道效应的限制,难以继续按摩尔定律缩小尺寸。...
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  • 发布了文章 2024-3-25 10:16
    厚度的增加虽然提高了晶圆的稳定性,但同时也带来了新的挑战,如热管理问题和加工难度增加。更厚的晶圆意味着在制造过程中,热量的分布可能更不均匀,这可能会影响到晶圆上芯片的制造质量。...
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  • 发布了文章 2024-3-22 15:38
    无定形碳膜(Amorphous Carbon Film),即非晶碳膜,指的是一种由碳原子构成但没有长程有序结构的薄膜材料。...
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  • 发布了文章 2024-3-21 15:06
    我们知道含F的XeF2和SF6都被当做腐蚀硅的气体,XeF2常被作为各向同性腐蚀硅的气体,而SF6常和CF4搭配作为硅各向异性腐蚀的气体,那么XeF2和SF6可以相互替换吗?...
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