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电气工程师 上海雷欧激光
上海市 嘉定区 设计开发工程
  • 高频变压器的设计与制作 脉冲变压器也可称作开关变压器,或简单地称作高频变压器。在传统的高频变压器设计中,由于磁芯材料的
    电子工程师
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  • 本文开始介绍了什么是磁饱和和磁饱和的危害,其次阐述了变压器产生磁饱和原因,最后介绍了变压器磁饱和会会出现的一些后果。
    姚小熊27
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  • CMOS数字逻辑芯片集合 2012-02-02 15:41
    电子发烧友网为广大电子工程师整理了CMOS数字逻辑芯片,数字集成电路方便大家来参考使用选购
    wuchang555
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  • 一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的坡莫合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。
    lhl545545
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  • 在介绍共模电感之前先介绍扼流圈,扼流圈是一种用来减弱电路里面高频电流的低阻抗线圈。为了提高其电感扼流圈通常有一软磁材料制的核心。共模扼流圈有多个同样的线圈,电流在这些线圈里反向流,因此在扼流圈的芯里磁场抵消。共模扼流圈常被用来压抑干扰辐射,因为这样的干扰电流在不同的线圈里反向,提高系统的EMC。
    电子工程师
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  • 三十多年来,本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存,是一件多么美妙的事情!越来越多的在工艺上的进步目前已能使完好的特征尺寸升级到90nm技术节点。然而,在深层纳米尺寸满足对漏电和性能的需要却迅速地把传统的晶体管逼入困境。
    电子设计
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  • 在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。
    电子设计
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  • 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
    VINi_fcsde_sh
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  • 如何计算高频变压器参数 一. 电磁学计算公式推导:1.磁通量与磁通密度相关公式:     Ф = B
    电子工程师
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  •  高频变压器是工作频率超过中频(10kHz)的电源变压器,主要用于高频开关电源中作高频开关电源变压器,也有用于高频逆变电源和高频逆变焊机中作高频逆变电源变压器的。按工作频率高低,可分为几个档次:10kHz- 50kHz、50kHz-100kHz、100kHz~500kHz、500kHz~1MHz、10MHz以上。
    PoisonApple
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  • 高频链中高频变压器的分析与设计 摘要:高频链逆变技术用高频变压器代替传统逆变器中笨重的工频变压器,大大减小了逆变器的体
    电子工程师
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  • MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax: 式中:Vor为副边折射到原边的反射电压,当输入为AC 220V时反射电压为135V; VminDC为整流后的最低直流电压; VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压,一般取
    嵩阳铁剑
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