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  • 对新能源车来说,最有提升空间的当属电机驱动部分,而电机驱动部分最核心的元件IGBT则是最需要重视的。
    kus1_iawbs2016
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  • 在高耐压范围中,SiC MOSFET与Si-MOSFET相比,具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势,当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC/DC转换器等中时,可带来更高的功率转换效率、散热器件的小型化、高频工作使线圈更小等好处,具有更节能、部件数量更少、安装面积更小等效果。
    西西
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  • 对新能源车来说,电池、VCU、BSM、电机效率都缺乏提升空间,最有提升空间的当属电机驱动部分,而电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管芯片)则是最需要重视的。
    kus1_iawbs2016
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  • 据外媒报道,最近,日本罗姆半导体公司(ROHM)宣布新增两款车用级1200V耐压绝缘栅双极型晶体管(IGBT),此类晶体管非常适合用于电子压缩机内的逆变器,以及正温度系数(PTC)加热器中的开关电路。
    独爱72H
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  • 对新能源车来说,电池、VCU、BSM、电机效率都缺乏提升空间,最有提升空间的当属电机驱动部分,而电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管芯片)则是最需要重视的。IGBT约占电机驱动系统成本的一半,而电机驱动系统占整车成本的15-20%,也就是说IGBT占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率。
    电子工程师
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  • ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
    西西
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