颜帅收藏的文章_嵌入式技术,物联网,学生 - 电子技术论坛

颜帅

经验：积分：6

学生无

湖北武汉丨学生

查看完整档案 >>

+关注发私信

文章 21 资料 0 帖子 0 产品 0 方案 0

用通俗易懂的话让你明白场效应管就是一个电控开关！ 2018-01-06 09:59

场效应管具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。用通俗易懂的话让你明白场效应管—就是一个电控开关！场效应管工作原理是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

ss

117644次阅读

0条评论
MOS管为何会被静电击穿，我们又该如何应对？ 2018-01-08 10:13

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。

ry3m_Power_unio

21944次阅读

0条评论
场效应管发热严重的原因 2018-01-30 15:13

本文主要介绍了场效应管发热严重的原因以及场效应管的工作原理。场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。由于电路设计、频率太高、没有做好足够的散热设计以及MOS管的选型有误，对功率判断有误，都有可能造成场效应管发热严重。

ss

33097次阅读

0条评论
基于一个MOS管波形到底能得出多少信息的解析 2018-01-09 14:01

当MOS管电压上升到A点时,输出整流管导通,初级励磁电感箝位于V1. 此时,漏感和杂散电容谐振, 由于变压器线圈存在直流和交流电阻,该振荡位阻尼振荡,消耗了漏感中的能量在B点时,励磁电感中电流下降为零,次级整流管自然截止,励磁电感上电压下降为零. 励磁电感和杂散电容谐振,MOS管的杂散电容Coss向励磁电感放电,Vds电压下降,可从波形中得到验证。

1Or4_dianyuanka

13381次阅读

0条评论
这几种MOS管“击穿”，你了解几种？ 2018-01-22 12:15

MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

电子工程师

33483次阅读

0条评论
关于MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点 2018-01-31 11:54

由于存在源边电感，在开启和关段初期，电流的变化被拽了，使得充电和放电的时间变长了。同时源感抗和等效输入电容之间会发生谐振（这个谐振是由于驱动电压的快速变压形成的，也是我们在G端看到震荡尖峰的原因），我们加入的门电阻Rg和内部的栅极电阻Rm都会抑制这个震荡（震荡的Q值非常高）。

倩倩

20002次阅读

0条评论

上一页 12 / 2 页

ta 的专栏

成就与认可

获得 0 次赞同
获得 21 次收藏

关注

粉丝

搜索历史

成就与认可

站长推荐 /7