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颜帅

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详解mos管原理及几种常见失效分析 2016-10-24 17:00

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

至少

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开关电源调试一般设计要求与要求 2017-09-24 21:51

1.变压器饱和变压器饱和现象在高压或低压输入下开机(包含轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等情

0BFC_eet_china

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开关损耗测试在电源调试中重要作用 2017-11-10 08:56

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？

AGk5_ZLG_zhiyua

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开关损耗测量中时间偏移对测量结果的影响分析 2018-02-07 01:27

开关器件的功率损耗是开关器件评估的重要环节，也是许多示波器选配的高级分析功能。事实上，虽然很多实验室配备了功率损耗程度测量环境，对设备和探头也投入不菲，但是如果忽略了时间偏移，则所有的测试结果都将失去意义。开关损耗测量中应考虑哪些问题呢？在实际的测量评估中，我们用一个通道测量电压，另一个通道测量电流，然后软件通过相乘得到功率曲线，再通过时间区间的积分得到最终的结果。

电子工程师

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入了解SiC MOSFET实现建议和解决方案示例 2018-07-04 09:01

对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是，SiC MOSFET 也存在自己的一系列问题，包括稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡，以及故障处理等。对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对设计的影响。本文将提供此类见解，以及实现建议和解决方案示例。为何使用 SiC MOSFET 要充分

Duke

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如何准确的测量开关损耗 2019-06-27 10:22

一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？

西西

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开关损耗的准确测量 2019-07-31 16:54

一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。

AGk5_ZLG_zhiyua

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有机场效应晶体管是什么_有机场效应晶体管介绍 2018-01-03 14:20

本文从基本结构、工作原理、应用研究三个方面介绍了有机场效应晶体管。

jf_f8pIz0xS

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有机场效应晶体管工作原理和主要性能指标 2018-01-03 14:53

有机场效应晶体管（organic fieldeffect tran-sisbor，OFET）因具有以下几个突出特点而受到研究人员的极大重视：材料来源广、可与柔性衬底兼容、低温加工、适合大批量生产和低成本等。它用途广泛，可用于全有机主动显示、大规模和超大规模集成电路、记忆组件、传感器、有机激光、互补逻辑电路和超导材料制备等。

jf_f8pIz0xS

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MOSFET选择策略详解 2012-04-03 11:15

次级侧同步整流：同步整流也被称为“有源”整流，它采用MOSFET替代二极管。同步整流用于提升整流效率。通常，二极管的压降会在0.7V至1.5V之间变化，而在二极管中产生较高功率损耗。

黄博

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场效应管的特性 2009-12-08 09:02

场效应管的特性图1.1 结场效管漏极输出曲线

电子工程师

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电子电路系列—MOS管精讲 2011-11-22 11:14

MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话

wuchang555

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如何绘制电气控制线路图详细教程 2009-11-26 09:17

如何绘制电气控制线路图详细教程绘制电气控制线路图是积累工作资料的一项重要内容，可采用辅助绘图软件提高工作效率。AutoCAD2006是常

电子工程师

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理解MOSFET开关损耗和主导参数 2012-04-12 11:04

为了使MOSFET整个开关周期都工作于ZVS，必须利用外部的条件和电路特性，实现其在开通过程的ZVS。如同步BUCK电路下侧续流管，由于其寄生的二极管或并联的肖特基二极管先导通，然后续流的同步MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的开关ZVS，开关损耗非常小，几乎可以忽略不计，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所产生的导通损耗，选取时只需要考虑RDS（ON）而不需要考虑Crss的值。

黄博

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mos管开关电路_pwm驱动mos管开关电路图分享 2018-01-04 13:41

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。本文为大家带来三种pwm驱动mos管开关电路解析。

jf_f8pIz0xS

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