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杨永群

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Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比 2023-10-24 14:12

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 – 氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『 Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型

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MOS管发热的处理方法 2023-06-26 17:26

先从理论上分析MOS管选型是否合理，从MOS管的规格书上获取MOS管的参数，包括导通电阻、g、s极的导通电压等。　　在确保实际驱动电压大于导通电压的前提下，如果负载电流为I，那么MOS管在导通状态下消耗的功率为I*I*RDS（on）。比如MOS管的导通电阻是100毫欧，负载电流为10A，则MOS管消耗的功率高达10W。

香香技术员

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