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严定帅

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电子工程师重庆力华自动化技术有限责任公司

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IGBT与MOS管的区别，IGBT与可控硅的区别，IGBT驱动电路设计 2017-05-14 10:09

多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。

Wildesbeast

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逆变电源中的三种保护电路讲解 2017-01-12 02:43

电路中经常会通过较大的电流，这就造成了电路中存在很多不确定的因素。为了避免这些因素对电路或者重要器件的损伤，保护电路应运而生。保护电路在逆变电源这种经常需要进行电流转换的器件中显得尤为重要。本篇文章就将为大家介绍逆变电源中的几种重要的保护电路设计，并针对其原理进行较为详细的分析和讲解。

电子工程师

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