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学生 山东大学
山东省 济南市 学术研究/学生
  • MOS管耗散功率的计算 2019-06-18 14:56
    由于MOSFET的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻(RDS(ON)),计算RDS(ON)看似是一个很好的着手之处。但MOSFET的导通电阻取决于结温TJ。返过来,TJ又取决于MOSFET中的功率放大器耗散和MOSFET的热阻(ΘJA)。
    倩倩
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